型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
SCT205K601A3S25F | CDE |
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CAPACITOR, FILM/FOIL, 600V, 2uF, CHASSIS MOUNT, ROHS COMPLIANT | |
SCT205K601A3S28F | CDE |
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CAPACITOR, FILM/FOIL, 600V, 2uF, CHASSIS MOUNT, ROHS COMPLIANT | |
SCT205K601A3SL25F | CDE |
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CAPACITOR, FILM/FOIL, 600V, 2uF, CHASSIS MOUNT, ROHS COMPLIANT | |
SCT2080KE | ROHM |
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基于SiC的平面型MOSFET。(SiC-SBD非一体型) 其特征是高耐压、低导通电阻、高 | |
SCT2080KEHR | ROHM |
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基于SiC的平面型MOSFET。 其特征是高耐压、低导通电阻、高速开关。 | |
SCT20N120 | STMICROELECTRONICS |
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碳化硅功率MOSFET,1200 V、20 A、189 mOhm(典型值,Tj = 150 | |
SCT20N120AG | STMICROELECTRONICS |
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汽车级碳化硅功率MOSFET,1200 V、20 A、189 mOhm(典型值,Tj = | |
SCT20N120H | STMICROELECTRONICS |
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碳化硅功率MOSFET,1200 V、20 A、189 mOhm(典型值,Tj = 150 | |
SCT20N170 | STMICROELECTRONICS |
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碳化硅功率MOSFET:20 A、1700 V、189 mOhm(典型值,Tj = 150 | |
SCT20N170AG | STMICROELECTRONICS |
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Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1700 V, 64 mOhm typ., 43 A in an HiP247 pack |