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SCDP120R013N2P4B

更新时间: 2024-10-04 18:09:15
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士兰微 - SILAN /
页数 文件大小 规格书
11页 743K
描述
TO-247B-4L

SCDP120R013N2P4B 数据手册

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士兰微电子  
SCDP120R013N2P4B 说明书  
13.5m1200V 碳化硅 MOS 功率管  
描述  
1
SCDP120R013N2P4B N 沟道增强型高压功率 MOSFET 采用士  
兰微电子碳化硅技术制造,具有很低的传导损耗和开关损耗,使得功  
率转换器具有高效,高功率密度,提高热行为。  
1. Drain  
2. Power Source  
3. Driver Source  
4. Gate  
4
该产品可广泛应用于开关电源、逆变器、DC-DC 转换器等领域。  
3 2  
特点  
138A1200VRDS(on)(typ.)=13.5m@VGS=15V  
碳化硅技术  
开关损耗低  
1
2
3
4
低反向恢复电荷  
降低散热要求  
TO-247B-4L  
100%雪崩测试  
无铅管脚镀层  
符合 RoHS 环保标准  
关键特性参数  
参数  
VDS  
参数值  
1200  
1.8~3.6  
17  
单位  
V
V
VGS(th)  
RDS(on),max.  
ID.pulse  
m  
A
276  
226  
nC  
Qg.typ.  
产品规格分类  
产品名称  
封装形式  
TO-247B-4L  
打印名称  
环保等级  
包装方式  
SCDP120R013N2P4B  
P120R013N2  
无卤  
料管  
杭州士兰微电子股份有限公司  
http: //www.silan.com.cn  
版本号:1.0  
11 页 第 1 页  

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