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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | DO-5 |
| 包装说明： | O-MUPM-D1 | 针数： | 1 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.80 | 风险等级： | 5.54 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | LOW FORWARD VOLTAGE |
| 应用： | GENERAL PURPOSE | 外壳连接： | CATHODE |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF)： | 0.5 V |
| JEDEC-95代码： | DO-203AB | JESD-30 代码： | O-MUPM-D1 |
| JESD-609代码： | e0 | 最大非重复峰值正向电流： | 1200 A |
| 元件数量： | 1 | 相数： | 1 |
| 端子数量： | 1 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 最低工作温度： | -65 °C | 最大输出电流： | 80 A |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | POST/STUD MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压： | 10 V |
| 最大反向电流： | 5000 µA | 子类别： | Rectifier Diodes |
| 表面贴装： | NO | 技术： | SCHOTTKY |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | SOLDER LUG |
| 端子位置： | UPPER | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SBR8210_07 | MICROSEMI |
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80 Amp Schottky Rectifier |
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| SBR8210E3 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 80A, 10V V(RRM), Silicon, DO-203AB, DO-5, 1 |
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| SBR8210R | MICROSEMI |
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80 Amp Schottky Rectifier |
|
| SBR8210RE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 80A, 10V V(RRM), Silicon, DO-203AB, DO-5, 1 |
|
| SBR8215 | MICROSEMI |
获取价格 |
Schottky ORing Diode |
|
| SBR8215E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 80A, 15V V(RRM), Silicon, DO-203AB, DO-5, 1 |
|
| SBR8215R | MICROSEMI |
获取价格 |
80 Amp Schottky Rectifier |
|
| SBR8215RE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 80A, 15V V(RRM), Silicon, DO-203AB, DO-5, 1 |
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| SBR830 | DAESAN |
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CURRENT 8.0 AMPERES |
|
| SBR830 | DIODES |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 8A, 30V V(RRM), Silicon, |
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