生命周期: | Active | 包装说明: | DO-5, 1 PIN |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.10.00.80 | 风险等级: | 5.71 |
其他特性: | REVERSE ENERGY TESTED | 应用: | GENERAL PURPOSE |
外壳连接: | ANODE | 配置: | SINGLE |
二极管元件材料: | SILICON | 二极管类型: | RECTIFIER DIODE |
最大正向电压 (VF): | 0.74 V | JEDEC-95代码: | DO-203AB |
JESD-30 代码: | O-MUPM-D1 | 最大非重复峰值正向电流: | 1200 A |
元件数量: | 1 | 相数: | 1 |
端子数量: | 1 | 最高工作温度: | 175 °C |
最低工作温度: | -65 °C | 最大输出电流: | 80 A |
封装主体材料: | METAL | 封装形状: | ROUND |
封装形式: | POST/STUD MOUNT | 最大重复峰值反向电压: | 45 V |
最大反向电流: | 2000 µA | 表面贴装: | NO |
技术: | SCHOTTKY | 端子形式: | SOLDER LUG |
端子位置: | UPPER | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
SBR8050 | MICROSEMI |
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80 Amp Schottky Rectifier | |
SBR8050E3 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 80A, 50V V(RRM), Silicon, DO-203AB, DO-5, 1 | |
SBR8050R | MICROSEMI |
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80 Amp Schottky Rectifier | |
SBR8050RE3 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 80A, 50V V(RRM), Silicon, DO-203AB, DO-5, 1 | |
SBR80520LT1G | ONSEMI |
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Surface Mount Schottky Power Rectifier | |
SBR80520LT3G | ONSEMI |
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Surface Mount Schottky Power Rectifier | |
SBR8060 | MICROSEMI |
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80 Amp Schottky Rectifier | |
SBR8060R | MICROSEMI |
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80 Amp Schottky Rectifier | |
SBR8060RE3 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 80A, 60V V(RRM), Silicon, DO-203AB, DO-5, 1 | |
SBR8100 | DAESAN |
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CURRENT 8.0 AMPERES |