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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | DO-5 |
| 包装说明： | O-MUPM-D1 | 针数： | 1 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.80 | 风险等级： | 5.52 |
| 其他特性： | REVERSE ENERGY TESTED | 应用： | GENERAL PURPOSE |
| 外壳连接： | CATHODE | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| 最大正向电压 (VF)： | 0.74 V | JEDEC-95代码： | DO-203AB |
| JESD-30 代码： | O-MUPM-D1 | JESD-609代码： | e0 |
| 最大非重复峰值正向电流： | 1200 A | 元件数量： | 1 |
| 相数： | 1 | 端子数量： | 1 |
| 最高工作温度： | 175 °C | 最低工作温度： | -65 °C |
| 最大输出电流： | 80 A | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | POST/STUD MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压： | 45 V | 最大反向电流： | 2000 µA |
| 子类别： | Rectifier Diodes | 表面贴装： | NO |
| 技术： | SCHOTTKY | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | SOLDER LUG | 端子位置： | UPPER |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SBR8045E3 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 80A, 45V V(RRM), Silicon, DO-203AB, DO-5, 1 |
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| SBR8045R | MICROSEMI |
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80 Amp Schottky Rectifier |
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| SBR8045RE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 80A, 45V V(RRM), Silicon, DO-203AB, DO-5, 1 |
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| SBR8050 | MICROSEMI |
获取价格 |
80 Amp Schottky Rectifier |
|
| SBR8050E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 80A, 50V V(RRM), Silicon, DO-203AB, DO-5, 1 |
|
| SBR8050R | MICROSEMI |
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80 Amp Schottky Rectifier |
|
| SBR8050RE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 80A, 50V V(RRM), Silicon, DO-203AB, DO-5, 1 |
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| SBR80520LT1G | ONSEMI |
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Surface Mount Schottky Power Rectifier |
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| SBR80520LT3G | ONSEMI |
获取价格 |
Surface Mount Schottky Power Rectifier |
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| SBR8060 | MICROSEMI |
获取价格 |
80 Amp Schottky Rectifier |
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