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SBM3060UCT

更新时间： 2024-11-26 01:25:11
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强茂 - PANJIT 局域网功效瞄准线二极管
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4页 59K
描述
EXTREME LOW VF SCHOTTKY RECTIFIER

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SBM3060UCT 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：R-PSFM-T3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.18其他特性：LOW POWER LOSS
应用：EFFICIENCY外壳连接：ISOLATED
配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.56 V
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
最大非重复峰值正向电流：250 A元件数量：2
相数：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
最大输出电流：15 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED最大重复峰值反向电压：60 V
最大反向电流：500 µA表面贴装：NO
技术：SCHOTTKY端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

SBM3060UCT 数据手册

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SBM3060UCT  
EXTREME LOW VF SCHOTTKY RECTIFIER  
30 Ampere  
VOLTAGE  
60 Volt  
CURRENT  
FEATURES  
0.419(10.66)  
0.387(9.85)  
0.196(5.00)  
0.163(4.16)  
• Extreme low forward voltage drop, low power loss  
• High efficiency operation  
0.156(3.95)  
0.147(3.75)  
0.054(1.39)  
0.045(1.15)  
• Lead free in compliance with EU RoHS 2011/65/EU directive  
MECHANICAL DATA  
0.115(2.92)  
0.080(2.03)  
0.058(1.47)  
0.042(1.07)  
Case : TO-220AB, Plastic  
0.038(0.96)  
0.019(0.50)  
0.025(0.65)MAX.  
Terminals : Solderable per MIL-STD-750, Method 2026  
Weight: 0.067 ounces, 1.89 grams.  
0.100(2.54)  
0.100(2.54)  
MAXIMUM RATINGS(TA=25oC unless otherwise noted)  
PARAMETER  
SYMBOL  
VALUE  
60  
UNIT  
Maximum repetitive peak reverse voltage  
V
RRM  
V
A
per diode  
Maximum average forward rectified current  
per device  
15  
30  
I
F(AV)  
FSM  
Peak forward surge current 8.3ms single half sine-wave  
per diode  
I
250  
2
A
superimposed on rated load  
Typical thermal resistance per diode  
Operating junction temperature range  
Storage temperature range  
(Note 1)  
RΘ  
JC  
oC/W  
oC  
TJ  
-55 to + 150  
-55 to + 150  
TSTG  
oC  
Note : 1. Mounted on infinite heatsink.  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS(TA=25oC unless otherwise noted)  
PARAMETER  
SYMBOL  
V
TEST CONDITIONS  
=1mA  
=3A  
MIN.  
60  
TYP.  
-
MAX.  
-
UNIT  
Breakdown voltage per diode  
BR  
I
R
V
V
I
I
I
F
F
F
-
-
-
0.33  
0.41  
0.51  
-
-
=7.5A  
=15A  
TJ  
=25oC  
0.56  
Instantaneous forward voltage per diode  
V
F
I
I
I
F
F
F
=3A  
=7.5A  
=15A  
-
-
-
0.25  
0.37  
0.51  
-
-
-
TJ  
=125oC  
V
V
V
R
=48V  
-
100  
-
μA  
Reverse current per diode  
November7,2014-REV.01  
I
R
T
TJ  
J
=25oC  
-
-
0.15  
26  
0.5  
-
mA  
mA  
R=60V  
=125oC  
PAGE . 1  
1234

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