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SBL30L30CT

更新时间： 2024-09-23 04:05:39
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 整流二极管瞄准线功效局域网
页数 文件大小 规格书
3页 84K
描述
30A DUAL LOW VF SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER

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SBL30L30CT 技术参数

是否无铅：含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-220AB
包装说明：R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.41
Is Samacsys：N其他特性：FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS
应用：EFFICIENCY外壳连接：CATHODE
配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.38 V
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3最大非重复峰值正向电流：260 A
元件数量：2相数：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-65 °C最大输出电流：15 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：260
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：30 V
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：NO
技术：SCHOTTKY端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：40Base Number Matches：1

SBL30L30CT 数据手册

 浏览型号SBL30L30CT的Datasheet PDF文件第2页浏览型号SBL30L30CT的Datasheet PDF文件第3页 
SPICE MODEL: SBL30L30CT  
SBL30L30CT  
30A DUAL LOW VF SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER  
Features  
·
·
·
·
·
Low Power Loss, High Efficiency  
Guard Ring for Transient Protection  
High Surge Capability  
TO-220AB  
Dim  
A
B
C
D
E
Min  
14.22  
9.65  
2.54  
5.84  
¾
Max  
15.88  
10.67  
3.43  
L
Very Low Forward Voltage Drop  
B
M
For Use in High Frequency Inverters, Free Wheeling, and  
Polarity Protection Applications  
C
D
E
·
Lead Free Finish, RoHS Compliant (Note 1)  
K
A
6.86  
Mechanical Data  
·
·
6.35  
Case: TO-220AB  
1
2
3
G
H
J
12.70  
2.29  
0.51  
14.73  
2.79  
Case Material: Molded Plastic. UL Flammability  
Classification Rating 94V-0  
G
1.14  
·
·
Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020C  
J
N
Terminals: Tin Finish. Solderable per MIL-STD-202,  
3.53Æ 4.09Æ  
K
L
Method 208  
e3  
3.56  
1.14  
0.30  
2.03  
4.83  
1.40  
0.64  
2.92  
·
·
·
·
Polarity: See Diagram  
H
H
P
M
N
P
Marking: Type Number  
Pin 1  
Pin 2  
Pin 3  
Ordering Information: See Sheet 3  
Weight: 2.24 grams (approximate)  
Case  
All Dimensions in mm  
@ TA = 25°C unless otherwise specified  
Maximum Ratings  
Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.  
For capacitive load, derate current by 20%.  
Value  
Characteristic  
Symbol  
Unit  
VRRM  
VRWM  
VR  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
Working Peak Reverse Voltage  
DC Blocking Voltage  
30  
21  
V
VR(RMS)  
RMS Reverse Voltage  
V
A
Average Rectified Output Current @ TC = 140°C  
Total Device  
Per Element  
30  
15  
IO  
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current  
8.3ms Single half sine-wave Superimposed on Rated Load  
Per Element  
IFSM  
260  
A
IRRM  
Peak Repetitive Reverse Current Per Element at tP = 2ms, 1 KHz  
1.0  
A
Voltage Rate of Change  
dV/dt  
10,000  
V/ms  
Typical Thermal Resistance Junction to Case  
(Note 2)  
Per Diode  
Total  
1.5  
0.8  
RqJC  
°C/W  
Tj  
Operating Temperature Range  
Storage Temperature Range  
-65 to +150  
-65 to +150  
°C  
°C  
TSTG  
@ TA = 25°C unless otherwise specified  
Electrical Characteristics  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
Characteristic  
Symbol  
Test Condition  
V(BR)R  
IR = 1.5mA  
Reverse Breakdown Voltage (Note 3)  
30  
¾
¾
V
@ IF = 15A, Tj = 25°C  
@ IF = 15A, Tj = 125°C  
@ IF = 30A, Tj = 25°C  
@ IF = 30A, Tj = 125°C  
¾
¾
¾
¾
¾
¾
0.52  
¾
0.46  
0.38  
0.57  
0.50  
VF  
IR  
Forward Voltage Per Element  
V
mA @ VR = 30V, Tj = 25°C  
mA @ VR = 30V, Tj = 125°C  
¾
¾
¾
¾
1.0  
300  
Peak Reverse Current Per Element (Note 3)  
Notes:  
1. RoHS revision 13.2.2003. Glass and High Temperature Solder Exemptions Applied, see EU Directive Annex, Notes 5 and 7.  
2. Thermal Resistance Junction to Case: Device mounted on 200x200x5mm aluminum plate.  
3. Short duration test pulse used to minimize self-heating effect.  
DS30757 Rev. 5 - 2  
1 of 3  
SBL30L30CT  
www.diodes.com  
ã Diodes Incorporated  
123

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