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Datasheet > 二极管 > 整流二极管> SBL1050{TUBE}
SBL1050{TUBE} PDF预览

SBL1050{TUBE}

更新时间： 2024-11-12 13:13:15
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 二极管局域网
页数 文件大小 规格书
2页 69K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 10A, 50V V(RRM), Silicon

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SBL1050{TUBE} 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete包装说明：R-PSFM-T2
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.73
应用：GENERAL PURPOSE外壳连接：CATHODE
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.75 V
JESD-30 代码：R-PSFM-T2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1最大非重复峰值正向电流：250 A
元件数量：1相数：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-65 °C最大输出电流：10 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：260
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：50 V
最大反向电流：1000 µA表面贴装：NO
技术：SCHOTTKY端子面层：MATTE TIN
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：40Base Number Matches：1

SBL1050{TUBE} 数据手册

 浏览型号SBL1050{TUBE}的Datasheet PDF文件第2页 
SBL1030 - SBL1060  
10A SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER  
Features  
·
·
Schottky Barrier Chip  
Guard Ring Die Construction for  
Transient Protection  
TO-220AC  
·
·
·
Low Power Loss, High Efficiency  
High Surge Capability  
High Current Capability and Low Forward  
Voltage Drop  
For Use in Low Voltage, High Frequency  
Inverters, Free Wheeling, and Polarity  
Protection Applications  
Plastic Material: UL Flammability  
Classification Rating 94V-0  
L
Dim  
A
B
C
D
E
Min  
14.22  
9.65  
2.54  
5.84  
¾
Max  
15.88  
10.67  
3.43  
B
M
C
D
E
·
·
K
A
6.86  
6.35  
Pin 1  
Pin 2  
G
J
12.70  
0.51  
14.73  
1.14  
G
K
L
3.53Æ 4.09Æ  
Mechanical Data  
J
N
3.56  
1.14  
0.30  
2.03  
4.83  
4.83  
1.40  
0.64  
2.92  
5.33  
·
·
Case: Molded Plastic  
Terminals: Plated Leads Solderable per  
MIL-STD-202, Method 208  
M
N
P
R
P
Pin 1  
Pin 2  
·
·
·
·
Polarity: See Diagram  
Case  
R
Weight: 2.24 grams (approx.)  
Mounting Position: Any  
Marking: Type Number  
All Dimensions in mm  
@ TA = 25°C unless otherwise specified  
Maximum Ratings and Electrical Characteristics  
Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.  
For capacitive load, derate current by 20%.  
SBL  
1030  
SBL  
1035  
SBL  
1040  
SBL  
1045  
SBL  
1050  
SBL  
1060  
Characteristic  
Symbol  
Unit  
VRRM  
VRWM  
VR  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
Working Peak Reverse Voltage  
DC Blocking Voltage  
30  
21  
35  
40  
28  
45  
50  
35  
60  
42  
V
VR(RMS)  
IO  
RMS Reverse Voltage  
24.5  
31.5  
V
A
Average Rectified Output Current  
@ TC = 95°C  
10  
(Note 1)  
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current  
8.3ms Single half sine-wave superimposed on rated load  
(JEDEC Method)  
IFSM  
250  
A
VFM  
IRM  
Forward Voltage Drop  
@ IF = 10A, TC = 25°C  
0.60  
0.75  
V
Peak Reverse Current  
at Rated DC Blocking Voltage  
@ TC 25°C  
=
1.0  
50  
mA  
@ TC = 100°C  
Cj  
Typical Junction Capacitance  
(Note 2)  
700  
3.5  
pF  
°C/W  
°C  
RqJc  
Thermal Resistance Junction to Case  
Operating and Storage Temperature Range  
(Note 1)  
Tj, TSTG  
-65 to +150  
Notes:  
1. Thermal resistance junction to case mounted on heatsink.  
2. Measured at 1.0MHz and applied reverse voltage of 4.0V DC.  
DS23042 Rev. C-2  
1 of 2  
SBL1030 - SBL1060  
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SBL1050-A DIODES

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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 10A, 50V V(RRM), Silicon, TO-220AC, ROHS CO
SBL1050CT MCC

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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 10A, 50V V(RRM), Silicon, TO-220AB, TO-220A
SBL1050CT DIODES

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