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SBG1630CT-T PDF预览

SBG1630CT-T

更新时间： 2024-02-17 14:16:22
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 功效瞄准线二极管
页数 文件大小 规格书
3页 49K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 16A, 30V V(RRM), Silicon, PLASTIC, D2PAK-3

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SBG1630CT-T 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-263包装说明：R-PSSO-G2
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：8.76其他特性：FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS
应用：EFFICIENCY外壳连接：CATHODE
配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODEJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e0湿度敏感等级：1
最大非重复峰值正向电流：175 A元件数量：2
相数：1端子数量：2
最大输出电流：16 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：235认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：30 V表面贴装：YES
技术：SCHOTTKY端子面层：Tin/Lead (Sn85Pb15)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：10Base Number Matches：1

SBG1630CT-T 数据手册

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DISCONTINUED  
SBG1630CT - SBG1645CT  
16A SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER  
Features  
D2PAK  
•
•
•
•
•
•
Guard Ring Die Construction for Transient Protection  
Low Power Loss, High Efficiency  
High Surge Capability  
High Current Capability and Low Forward Voltage Drop  
Surge Overload Rating to 175A Peak  
For Use in Low Voltage, High Frequency Inverters, Free  
Wheeling, and Polarity Protection Applications  
Dim  
A
Min  
9.65  
14.60  
0.51  
2.29  
4.37  
1.14  
1.14  
8.25  
0.30  
2.03  
2.29  
Max  
10.69  
15.88  
1.14  
2.79  
4.83  
1.40  
1.40  
9.25  
0.64  
2.92  
2.79  
E
B
G
H
A
C
4
D
•
Lead Free Finish/RoHS Compliant (Note 3)  
E
J
B
C
G
H
Mechanical Data  
1
2
3
•
•
Case: D2PAK  
Case Material: Molded Plastic. UL Flammability  
Classification Rating 94V-0  
Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020C  
Terminals: Finish - Tin. Solderable per MIL-STD-202,  
Method 208  
Ordering Information: See Page 2  
Polarity: See Diagram  
Marking: Type Number  
J
M
K
•
•
D
K
L
M
L
All Dimensions in mm  
•
•
•
•
PIN 1  
PIN 3  
PIN 2 & 4  
Weight: 1.7 grams (approximate)  
Maximum Ratings and Electrical Characteristics @TA = 25°C unless otherwise specified  
Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.  
For capacitive load, derate current by 20%.  
SBG  
1630CT  
SBG  
1635CT  
SBG  
1640CT  
SBG  
1645CT  
Characteristic  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
Working Peak Reverse Voltage  
DC Blocking Voltage (Note 4)  
Symbol  
Unit  
VRRM  
VRWM  
VR  
VR(RMS)  
IO  
30  
21  
35  
25  
40  
28  
45  
V
RMS Reverse Voltage  
32  
V
A
16  
Average Rectified Output Current  
@ TC = 95°C  
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current  
8.3ms Single Half Sine-Wave Superimposed on Rated Load  
Forward Voltage, per Element  
Peak Reverse Current  
175  
0.55  
A
V
IFSM  
VFM  
@ IF = 8.0A  
@ T = 25°C  
1.0  
50  
j
mA  
IRM  
CT  
at Rated DC Blocking Voltage (Note 4)  
Typical Total Capacitance (Note 2)  
@ T = 125°C  
j
275  
3.0  
pF  
°C/W  
°C  
Typical Thermal Resistance Junction to Case (Note 1)  
Operating and Storage Temperature Range  
Rθ  
JC  
-65 to +125  
T
, TSTG  
J
Notes:  
1. Thermal resistance junction to case mounted on heatsink.  
2. Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0V DC and per element.  
3. RoHS revision 13.2.2003. Glass and high temperature solder exemptions applied, see EU Directive Annex Note 7.  
4. Short duration pulse test used to minimize self-heating effect.  
DS30090 Rev. 7 - 4  
1 of 2  
www.diodes.com  
SBG1630CT - SBG1645CT  
© Diodes Incorporated  
123

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SBG1630CT-T 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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