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SBB3089ZSR

更新时间： 2024-01-28 12:38:24
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威讯 - RFMD 射频微波
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5页 387K
描述
50MHz to 6000MHz InGaP HBT ACTIVE BIAS GAIN BLOCK

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SBB3089ZSR 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：TO-243Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：5A991.GHTS代码：8542.33.00.01
风险等级：5.13特性阻抗：50 Ω
构造：COMPONENT增益：14.9 dB
最大输入功率 (CW)：20 dBm安装特点：SURFACE MOUNT
功能数量：1端子数量：3
最大工作频率：6000 MHz最小工作频率：50 MHz
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装等效代码：TO-243
电源：4.2 V射频/微波设备类型：WIDE BAND LOW POWER
子类别：RF/Microwave Amplifiers最大压摆率：46 mA
表面贴装：YES技术：BIPOLAR
Base Number Matches：1

SBB3089ZSR 数据手册

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SBB3089Z  
50MHz to 6000MHz InGaP HBT ACTIVE BIAS  
GAIN BLOCK  
Package: SOT-89  
Product Description  
Features  
RFMD’s SBB3089Z is a high performance InGaP HBT MMIC amplifier uti-  
lizing a Darlington configuration with an active bias network. The active  
bias network provides stable current over temperature and process Beta  
variations. The SBB3089Z product is designed for high linearity 5V gain  
block applications that require excellent gain flatness, small size, and min-  
imal external components. It is internally matched to 50.  
Single Fixed 5V Supply  
Patented Self Bias Circuit and  
Thermal Design  
Gain=16.4dBm at 1950MHz  
P
=15.2dBm at 1950MHz  
1dB  
OIP =29.5dBm at 1950MHz  
3
Gain and Return Loss VS = 5V, IS = 42mA  
30  
Optimum Technology  
Robust 1000V ESD, Class 1C  
HBM  
Matching® Applied  
S21  
20  
GaAs HBT  
GaAs MESFET  
Applications  
10  
InGaP HBT  
Bias Tee Data, ZS = ZL = 50 Ohms, TL = 25C  
PA Driver Amplifier  
SiGe BiCMOS  
0
Si BiCMOS  
Cellular, PCS, GSM, UMTS  
IF Amplifier  
-10  
-20  
-30  
SiGe HBT  
GaAs pHEMT  
Si CMOS  
S11  
Wireless Data, Satellite  
Wideband Instrumentation  
S22  
  
Si BJT  
GaN HEMT  
InP HBT  
RF MEMS  
LDMOS  
0
1
2
3
4
5
6
Frequency (GHz)  
Specification  
Typ.  
Parameter  
Unit  
Condition  
Min.  
15.1  
14.9  
Max.  
18.1  
17.9  
Small Signal Gain  
16.6  
16.4  
16.3  
15.6  
15.2  
15.4  
30.0  
29.5  
29.5  
21  
dB  
dB  
dB  
dBm  
dBm  
dBm  
dBm  
dBm  
dBm  
dB  
850MHz  
1950MHz  
2400MHz  
850MHz  
1950MHz  
2400MHz  
850MHz  
1950MHz  
2400MHz  
1950MHz  
1950MHz  
1950MHz  
Output Power at 1dB Compression  
Output Third Order Intercept Point  
14.2  
27.5  
Input Return Loss  
Output Return Loss  
Noise Figure  
16  
19  
25.5  
3.9  
4.2  
dB  
dB  
V
4.9  
4.3  
Device Operating Voltage  
R
=20, V =5.0V  
DC  
S
Device Operating Current  
Operational Current Range  
Thermal Resistance  
38  
30  
42  
46  
46  
mA  
mA  
R
=20, V =5.0V  
DC  
S
Per user preference via R  
Junction to lead  
DC  
80  
°C/W  
Test Conditions: V =4.2V, I =42mA, T =25°C , OIP Tone Spacing=1MHz, R =20, Bias Tee Data, Z =Z =50, P per tone=-5dBm  
OUT  
D
D
L
3
DC  
S
L
RF MICRO DEVICES®, RFMD®, Optimum Technology Matching®, Enabling Wireless Connectivity™, PowerStar®, POLARIS™ TOTAL RADIO™ and UltimateBlue™ are trademarks of RFMD, LLC. BLUETOOTH is a trade-  
mark owned by Bluetooth SIG, Inc., U.S.A. and licensed for use by RFMD. All other trade names, trademarks and registered trademarks are the property of their respective owners. ©2006, RF Micro Devices, Inc.  
7628 Thorndike Road, Greensboro, NC 27409-9421 · For sales or technical  
support, contact RFMD at (+1) 336-678-5570 or sales-support@rfmd.com.  
DS130718  
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 		0.05GHZ TO 6GHZ, CASCADABLE ACTIVE BIAS InGaP HBT MMIC AMPLIFIER

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