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SB8150F

更新时间： 2024-10-30 14:53:03
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描述
Powerpack

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SB8150F 技术参数

生命周期：Active零件包装代码：SFM
包装说明：R-PSFM-T2针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.4
Is Samacsys：N其他特性：LOW LEAKAGE CURRENT
应用：GENERAL PURPOSE外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODEJEDEC-95代码：TO-220
JESD-30 代码：R-PSFM-T2最大非重复峰值正向电流：150 A
元件数量：1相数：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-65 °C最大输出电流：8 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT最大重复峰值反向电压：150 V
表面贴装：NO技术：SCHOTTKY
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
Base Number Matches：1

SB8150F 数据手册

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®
SB8150F – SB8200F  
8.0A HIGH VOLTAGE SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER  
WON-TOP ELECTRONICS  
Features  
Schottky Barrier Chip  
B
Guard Ring for Transient Protection  
Low Forward Voltage Drop  
Low Power Loss, High Efficiency  
High Surge Current Capability  
Epoxy Meets UL 94V-0 Classification  
Ideally Suited for Use in High Frequency  
SMPS, Inverters and As Free Wheeling Diodes  
ITO-220A  
C
Dim  
A
B
C
D
E
Min  
14.60  
9.70  
2.55  
—
Max  
15.40  
10.30  
2.85  
G
A
E
PIN1  
3
4.16  
D
13.00  
0.30  
3.00 Ø  
6.30  
4.20  
2.50  
0.36  
2.60  
4.83  
13.80  
0.90  
F
G
H
I
3.50 Ø  
6.90  
Mechanical Data  
F
Case: ITO-220A, Full Molded Plastic  
Terminals: Plated Leads Solderable per  
MIL-STD-202, Method 208  
Polarity: See Diagram  
Weight: 1.9 grams (approx.)  
4.80  
P
J
2.90  
K
L
0.80  
I
3.30  
P
5.33  
Mounting Position: Any  
H
L
J
All Dimensions in mm  
Mounting Torque: 0.6 N.m Max.  
Lead Free: For RoHS / Lead Free Version,  
Add “-LF” Suffix to Part Number, See Page 4  
PIN 1  
PIN 3  
K
Maximum Ratings and Electrical Characteristics @TA=25°C unless otherwise specified  
Single Phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load. For capacitive load, derate current by 20%.  
Characteristic  
Symbol  
SB8150F  
SB8200F  
Unit  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
Working Peak Reverse Voltage  
DC Blocking Voltage  
VRRM  
VRWM  
VR  
150  
105  
200  
140  
V
RMS Reverse Voltage  
VR(RMS)  
IO  
V
A
Average Rectified Output Current  
@TC = 100°C  
8.0  
150  
0.9  
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current  
8.3ms Single Half Sine-Wave Superimposed on  
Rated Load (JEDEC Method)  
IFSM  
A
Forward Voltage  
@IF = 8.0A  
VFM  
IRM  
CJ  
V
mA  
pF  
Peak Reverse Current  
At Rated DC Blocking Voltage  
@TJ = 25°C  
@TJ = 100°C  
0.2  
10  
Typical Junction Capacitance (Note 1)  
200  
Thermal Resistance Junction to Ambient  
Thermal Resistance Junction to Case  
RθJA  
RθJC  
75  
5.0  
°C/W  
RMS Isolation Voltage Terminals to Case, t = 1 min  
Operating and Storage Temperature Range  
VISO  
1500  
V
TJ, TSTG  
-55 to +150  
°C  
Note: 1. Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0V D.C.  
© Won-Top Electronics Co., Ltd.  
Revision: September, 2012  
www.wontop.com  
1
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SB8150FCT WTE

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 		8.0A HIGH VOLTAGE DUAL SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER
SB8150FCT PANJIT

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 		ISOLATION SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS
SB8150FCT WON-TOP

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 		Powerpack
SB8150FCT_08 WTE

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 		8.0A HIGH VOLTAGE DUAL SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER
SB8150FCT-LF WTE

获取价格

 		暂无描述
SB8150-LF WTE

获取价格

 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 8A, 150V V(RRM), Silicon, TO-220AC, ROHS CO
SB81C51SL INTEL

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 		Microcontroller, 8-Bit, MROM, 16MHz, CMOS, PQFP100, SQFP-100
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SB820 PACELEADER

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 		SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER
SB820 GULFSEMI

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 		SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER VOLTAGE: 20 TO 60V CURRENT: 8.0A

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