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SB630

更新时间： 2024-09-10 14:53:11
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4页 43K
描述
Powerpack

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SB630 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Active零件包装代码：TO-220AC
包装说明：R-PSFM-T2针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.73
Is Samacsys：N其他特性：LOW LEAKAGE CURRENT
应用：GENERAL PURPOSE外壳连接：CATHODE
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.55 V
JEDEC-95代码：TO-220ACJESD-30 代码：R-PSFM-T2
JESD-609代码：e0最大非重复峰值正向电流：75 A
元件数量：1相数：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-65 °C最大输出电流：6 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压：30 V子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：NO技术：SCHOTTKY
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

SB630 数据手册

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®
SB620 – SB6100  
6.0A SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER  
WON-TOP ELECTRONICS  
Features  
Schottky Barrier Chip  
B
Guard Ring for Transient Protection  
Low Forward Voltage Drop  
Low Power Loss, High Efficiency  
High Surge Current Capability  
Epoxy Meets UL 94V-0 Classification  
Ideally Suited for Use in High Frequency  
SMPS, Inverters and As Free Wheeling Diodes  
TO-220A  
Min  
C
Dim  
A
B
C
D
E
Max  
15.90  
10.70  
3.43  
13.90  
9.80  
G
A
E
2.54  
PIN1  
3
3.56  
4.56  
D
12.70  
0.51  
14.73  
0.96  
F
G
H
I
3.55 Ø  
5.75  
4.09 Ø  
6.85  
Mechanical Data  
F
Case: TO-220A, Molded Plastic  
Terminals: Plated Leads Solderable per  
MIL-STD-202, Method 208  
Polarity: See Diagram  
Weight: 1.9 grams (approx.)  
4.16  
5.00  
P
J
2.03  
2.92  
K
L
0.30  
0.65  
I
1.14  
1.40  
P
4.83  
5.33  
Mounting Position: Any  
H
L
J
All Dimensions in mm  
Mounting Torque: 0.6 N.m Max.  
Lead Free: For RoHS / Lead Free Version,  
Add “-LF” Suffix to Part Number, See Page 4  
PIN 1  
PIN 3  
Case  
K
Maximum Ratings and Electrical Characteristics @TA=25°C unless otherwise specified  
Single Phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load. For capacitive load, derate current by 20%.  
SB  
620  
SB  
630  
SB  
640  
SB  
645  
SB  
650  
SB  
660  
SB  
680  
SB  
Characteristic  
Symbol  
Unit  
6100  
100  
70  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
Working Peak Reverse Voltage  
DC Blocking Voltage  
VRRM  
VRWM  
VR  
20  
14  
30  
21  
40  
28  
45  
32  
50  
35  
60  
42  
80  
56  
V
RMS Reverse Voltage  
VR(RMS)  
IO  
V
A
Average Rectified Output Current @TC = 100°C  
6.0  
75  
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current  
8.3ms Single Half Sine-Wave Superimposed  
on Rated Load (JEDEC Method)  
IFSM  
A
Forward Voltage  
@IF = 6.0A  
VFM  
IRM  
CJ  
0.55  
300  
0.75  
200  
0.85  
V
mA  
pF  
Peak Reverse Current  
At Rated DC Blocking Voltage  
@TJ = 25°C  
@TJ = 100°C  
0.2  
15  
Typical Junction Capacitance (Note 1)  
150  
Thermal Resistance Junction to Ambient  
Thermal Resistance Junction to Case  
RθJA  
RθJC  
73  
3.0  
°C/W  
°C  
Operating and Storage Temperature Range  
TJ, TSTG  
-55 to +150  
Note: 1. Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0V D.C.  
© Won-Top Electronics Co., Ltd.  
Revision: September, 2012  
www.wontop.com  
1
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