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Datasheet > 二极管 > 整流二极管> SB5H100HE3/73
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SB5H100HE3/73

更新时间： 2024-11-09 06:10:11
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 整流二极管高压
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4页 96K
描述
High-Voltage Schottky Rectifier High Barrier Technology for Improved High Temperature Performance

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SB5H100HE3/73 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.82
配置：SINGLE二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.7 V最大非重复峰值正向电流：200 A
元件数量：1最高工作温度：175 °C
最大输出电流：5 A最大重复峰值反向电压：100 V
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：NO
技术：SCHOTTKYBase Number Matches：1

SB5H100HE3/73 数据手册

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SB5H90 & SB5H100  
Vishay General Semiconductor  
High-Voltage Schottky Rectifier  
High Barrier Technology for Improved High Temperature Performance  
FEATURES  
• Guardring for overvoltage protection  
• Low power losses and high efficiency  
• Low forward voltage drop  
• Low leakage current  
• High forward surge capability  
• High frequency operation  
DO-201AD  
• Solder dip 260 °C, 40 s  
• Component in accordance to RoHS 2002/95/EC  
and WEEE 2002/96/EC  
TYPICAL APPLICATIONS  
For use in middle voltage high frequency inverters,  
freewheeling, dc-to-dc converters, and polarity  
protection applications.  
PRIMARY CHARACTERISTICS  
IF(AV)  
5.0 A  
VRRM  
IFSM  
VF  
90 V, 100 V  
200 A  
MECHANICAL DATA  
Case: DO-201AD  
Epoxy meets UL 94V-0 flammability rating  
Terminals: Matte tin plated leads, solderable per  
J-STD-002 and JESD22-B102  
0.70 V  
IR  
200 µA  
175 °C  
TJ max.  
E3 suffix for consumer grade, meets JESD 201 class  
1A whisker test, HE3 suffix for high reliability grade  
(AEC Q101 qualified), meets JESD 201 class 2  
whisker test  
Polarity: Color band denotes the cathode end  
MAXIMUM RATINGS (T = 25 °C unless otherwise noted)  
A
PARAMETER  
SYMBOL  
VRRM  
VRWM  
VDC  
SB5H90  
90  
SB5H100  
100  
UNIT  
Maximum repetitive peak reverse voltage  
Working peak reverse voltage  
V
V
V
A
90  
100  
Maximum DC blocking voltage  
90  
100  
Maximum average forward rectified current at TC = 80 °C  
IF(AV)  
5.0  
Peak forward surge current, 8.3 ms single half sine-wave  
superimposed on rated load  
IFSM  
200  
A
Peak repetitive reverse surge current at tp = 2.0 µs, 1 kHz  
Storage temperature range  
IRRM  
TSTG  
TJ  
1.0  
- 55 to + 175  
175  
A
°C  
°C  
Maximum operating junction temperature  
Document Number: 88722  
Revision: 19-May-08  
For technical questions within your region, please contact one of the following:  
PDD-Americas@vishay.com, PDD-Asia@vishay.com, PDD-Europe@vishay.com  
www.vishay.com  
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SB5H100-HE3/73 VISHAY

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 		5A, 100V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2
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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 5A, 90V V(RRM), Silicon, DO-201AD, ROHS COM

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