SB580EA-G

更新时间： 2024-02-25 05:11:52

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ESD Leaded Schottky Barrier Rectifiers

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SB580EA-G 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	O-PALF-W2	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.76	Is Samacsys：	N
其他特性：	FREE WHEELING DIODE	应用：	EFFICIENCY
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	0.85 V	JEDEC-95代码：	DO-201AD
JESD-30 代码：	O-PALF-W2	最大非重复峰值正向电流：	100 A
元件数量：	1	相数：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-65 °C	最大输出电流：	5 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压：	80 V	最大反向电流：	500 µA
子类别：	Rectifier Diodes	表面贴装：	NO
技术：	SCHOTTKY	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

SB580EA-G 数据手册

ESD Leaded Schottky Barrier Rectifiers

Comchip

S M D D i o d e S p e c i a l i s t

SB520E-G Thru. SB5100E-G

Voltage: 20 to 100 V

Current: 5.0 A

RoHS Device

DO-201AD

Features

-Low drop down voltage.

-5.0A operation at TA=75°C with no thermal runaway.

-For use in low voltage, high frequency invertors free

wheeling and polarity protection.

1.0(25.4) Min.

0.210(5.3)

0.189(4.8)

-Silicon epitaxial planar chips.

-ESD test under IEC6100-4-2 :

Standard: >15KV(Air) & 8KV(Contact)

0.375(9.5)

0.287(7.3)

-Lead-free part, meet RoHS requirements.

Mechanical data

1.0(25.4) Min.

0.052(1.3)

0.048(1.2)

-Epoxy: UL94-V0 rated flame retardant

-Case: Molded plastic body DO-201AD

-Terminals: Solderable per MIL-STD-750 Method 2026

-Polarity: Color band denotes cathode end

-Mounting Position: Any

Dimensions in inches and (millimeter)

-Weight: 1.12grams

Electrical Characteristics (at TA=25°C unless otherwise noted)

Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified.

Symbol

Parameter

Unit

520E-G 540E-G 545E-G 550E-G 560E-G 580E-G 5100E-G

Maximum recurrent peak reverse voltage

Maximum RMS voltage

VRRM

VRMS

VDC

100

Maximum DC blocking voltage

100

Maximum average forward rectified current

0.5” (12.7mm) lead length at TA=75°C, See Figure 1

I(AV)

5.0

Peak forward surge current

8.3ms single half sine-wave superimposed on rated load

(JEDEC method) TL=110°C

150

125

IFSM

Maximum forward voltage at 5.0A (Note 1)

0.55

0.70

0.85

0.5

Maximum DC reverse current

At rated DC blocking voltage

=25°C

=100°C

Typical junction capacitance (Note 2)

Typical thermal resistance (Note 3)

500

RθJA

RθJL

35.0

15.0

°C/W

Operating junction temperature range

Storage temperature range

-65 to +125

-65 to +150

°C

TSTG

-65 to +150

NOTES:

1. Pulse test : 300µS pulse width, 1% duty cycle.

2. Measured at 1.0MHz and applied reverse voltage of 4.0 Volts.

3. Thermal resistance from junction to ambient and from junction to lead P.C.B. mounted 0.500” (12.7mm) lead length with 2.5x2.5” (63.5x63.5mm) copper

pad.

REV:A

Page 1

QW-BB043

Comchip Technology CO., LTD.

12 3

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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