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SB521Z-30M

更新时间： 2023-12-06 20:08:29

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先科 - SWST		肖特基二极管
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3页	147K
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肖特基二极管

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SB521Z-30M 数据手册

SB521Z-30M

Silicon Epitaxial Planar Schottky Barrier Diode

PINNING

DESCRIPTION

Cathode

Anode

Features

• Low forward voltage

• High Reliability

Transparent top view

Simplified outline DFN0603-2BE and symbol

Absolute Maximum Ratings (T_a= 25℃)

Parameter

Symbol

V_R

Value

Unit

Reverse Voltage

Average Rectified Forward Current

Peak Forward Surge Current ( 8.3 ms )

Junction Temperature

I_F(AV)

I_FSM

T_j

100

℃

500

150

Storage Temperature Range

T_stg

- 40 to + 150

℃

Characteristics at T_a= 25℃

Parameter

Symbol

V_(BR)R

V_F

Min.

Max.

Unit

Reverse Breakdown Voltage

0.37

at I_R= 100 μA

Forward Voltage

at I_F= 10 mA

Reverse Current

at V_R= 10 V

I_R

µA

1 / 3

Dated: 13/06/2023 Rev: 04

12 3

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