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SB521BZ-30M

更新时间： 2023-12-06 20:08:35

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先科 - SWST		肖特基二极管
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肖特基二极管

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SB521BZ-30M 数据手册

SB521BZ-30M

Silicon Epitaxial Planar Schottky Barrier Diode

PINNING

DESCRIPTION

Cathode

Anode

Features

• Low V_F

• High Reliability

Transparent top view

Marking Code: S1

Simplified outline DFN0603-2BE and symbol

Absolute Maximum Ratings (T_a= 25℃)

Parameter

Symbol

V_R

Value

Unit

Reverse Voltage

Average rectified forward current

Peak Forward Surge Current ( 8.3 ms )

Junction Temperature

I_F(AV)

I_FSM

T_j

100

℃

500

125

Storage Temperature Range

T_stg

- 40 to + 150

℃

Characteristics at T_a= 25℃

Parameter

Symbol

V_F

Max.

0.37

Unit

Forward Voltage

at I_F= 10 mA

Reverse Current

at V_R= 10 V

I_R

µA

1 / 3

Dated : 26/09/2020 Rev:01

12 3

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