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SB4060LFCT PDF预览

SB4060LFCT

更新时间： 2024-01-26 10:13:08
品牌 Logo 应用领域
ASEMI 肖特基二极管光电二极管
页数 文件大小 规格书
2页 347K
描述
ASEMI低压降肖特基二极管SB4060LFCT中文资料,SB4060LFCT PDF资料,SB4060LFCT参数,SB4060LFCT规格书下载。

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SB4060LFCT 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-3P
包装说明：R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.68
Is Samacsys：N其他特性：LOW POWER LOSS, FREE WHEELING DIODE
应用：EFFICIENCY外壳连接：ISOLATED
配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODEJESD-30 代码：R-PSFM-T3
最大非重复峰值正向电流：350 A元件数量：3
相数：1端子数量：3
最大输出电流：40 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
认证状态：Not Qualified参考标准：MIL-19500/228
最大重复峰值反向电压：60 V表面贴装：NO
技术：SCHOTTKY端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLEBase Number Matches：1

SB4060LFCT 数据手册

 浏览型号SB4060LFCT的Datasheet PDF文件第2页 
SB4060LFCT  
SB4 06 0LFCT  
DUAL LOW VF SCHOTTKY RECTIFIER  
40 Amperes  
4.93  
4.53  
10.36  
9.96  
VOLTAGE  
60 Volts  
CURRENT  
2.72  
2.32  
FEATURES  
• Low forward voltage drop, low power losses  
• High efficiency operation  
• In compliance with EU RoHS 2002/95/EC directives  
2.96  
2.56  
1.24  
1.20  
1.46  
1.26  
MECHANICAL DATA  
0.9  
0.7  
Case : ITO-220AB, Plastic  
0.6  
0.45  
Terminals : Solderable per MIL-STD-750, Method 2026  
Weight: 0.055 ounces, 1.5615 grams.  
2.74  
2.34  
2.74  
2.34  
MAXIMUM RATINGS(TA=25oC unless otherwise noted)  
PARAMETER  
SYMBOL  
VALUE  
60  
UNIT  
Maximum repetitive peak reverse voltage  
V
RRM  
V
A
per device  
Maximum average forward rectified current (Fig.3)  
per diode  
40  
20  
I
F(AV)  
FSM  
Peak forward surge current 8.3ms single half sine-wave  
per diode  
I
200  
4.0  
A
superimposed on rated load per diode  
Typical thermal resistance  
Operating junction  
RΘ  
JC  
oC/W  
oC  
TJ  
- 40 to + 150  
- 40 to + 150  
Storage temperature range  
TSTG  
oC  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS(TA=25oC unless otherwise noted)  
PARAMETER  
Breakdown voltage  
SYMBOL  
V
TEST CONDITIONS  
=1mA  
MIN.  
64  
TYP.  
68  
MAX.  
-
UNIT  
BR  
I
R
V
V
-
-
T
J
=25oC  
I
I
F
=20A  
=20A  
0.51  
0.57  
0.46  
Instantaneous forward voltage per  
diode (1)  
V
F
-
-
-
-
TJ  
=125oC  
V
F
T
TJ  
J
=25oC  
-
-
-
-
0.5  
20  
Reverse current per diode (2)  
I
R
V
R=60V  
mA  
=100oC  
Note.1 Pulse test : 380μs pulse width, 1% duty cycle  
2. Pulse test : Pulse width < 2.5ms  
PAGE . 1  
www.asemi365.com  
12

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