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SB330

更新时间： 2024-01-03 04:00:08

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DIOTECH		二极管瞄准线功效
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描述
SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER

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SB330 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	DO-201AD
包装说明：	O-PALF-W2	针数：	2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.1
其他特性：	FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS	应用：	EFFICIENCY
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码：	DO-201AD	JESD-30 代码：	O-PALF-W2
最大非重复峰值正向电流：	80 A	元件数量：	1
相数：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-65 °C
最大输出电流：	3 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	LONG FORM
最大重复峰值反向电压：	30 V	表面贴装：	NO
技术：	SCHOTTKY	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL	Base Number Matches：	1

SB330 数据手册

SB320 THRU SB3100

SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER

Reverse Voltage - 20 to 100 Volts

Forward Current - 3.0 Ampere

FEATURES

DO-201AD

●

The plastic package carries Underwriters Laboratory

Flammability Classification 94V-0

●

Metal silicon junction,majority carrier conduction

Low power loss,high efficiency

1.0 (25.4)

MIN.

High forward surge current capability

High temperature soldering guaranteed:

0.210 (5.3)

0.190 (4.8)

DIA.

250 C/10 seconds,0.375”(9.5mm) lead length,

5 lbs. (2.3kg) tension

0.375 (9.50)

0.285(7.20)

MECHANICAL DATA

1.0 (25.4)

MIN.

Case: JEDEC DO-201AD molded plastic body

Terminals: Plated axial leads, solderable per MIL-STD-750,

Method 2026

0.052 (1.32)

0.048 (1.22)

DIA.

Polarity: Color band denotes cathode end

Mounting Position: Any

Dimensions in inches and (millimeters)

Weight:0.04 ounce, 1.10 grams

MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Ratings at 25 C ambient temperature unless otherwise specified.

Single phase half-wave 60Hz,resistive or inductive load,for capacitive load current derate by 20%.

SB SB

SB SB SB

SB SB

SYMBOLS

UNITS

Characteristic

370 380 390 3100

320 330 340 350 360

Maximum repetitive peak reverse voltage

20 30 40 50 60 70 80

14 21 28 35 42 49 56

20 30 40 50 60 70 80

90 100

63 70

90 100

V^RRM

VRMS

VDC

Maximum RMS voltage

Maximum DC blocking voltage

Maximum average forward rectified current

0.375”(9.5mm) lead length(see fig.1)

Peak forward surge current

I(AV)

3.0

IFSM

80.0

8.3ms single half sine-wave superimposed on

rated load (JEDEC Method)

0.55

0.70

0.5

0.85

Maximum instantaneous forward voltage at 3.0A

Maximum DC reverse current

at rated DC blocking voltage

T^A=25 C

T^A=100 C

20.0

250

10.0

160

Typical junction capacitance (NOTE 1)

C/W

Typical thermal resistance (NOTE 2)

Operating junction temperature range

RqJA

40.0

-65 to +150

-65 to +125

TJ,

Storage temperature range

TSTG

Note:1.Measured at 1MHz and applied reverse voltage of 4.0V D.C.

2.Thermal resistance from junction to ambient at 0.375”(9.5mm)lead length,P.C.B. mounted

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