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SB250S

更新时间： 2024-09-26 14:53:15
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描述
Axial

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SB250S 技术参数

生命周期：Active零件包装代码：DO-41
包装说明：PLASTIC PACKAGE-2针数：2
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.15
其他特性：FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS应用：EFFICIENCY
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码：DO-41JESD-30 代码：O-PALF-W2
最大非重复峰值正向电流：50 A元件数量：1
相数：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-65 °C
最大输出电流：2 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：LONG FORM
最大重复峰值反向电压：50 V表面贴装：NO
技术：SCHOTTKY端子形式：WIRE
端子位置：AXIALBase Number Matches：1

SB250S 数据手册

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®
SB220S – SB2100S  
2.0A SCHOTTKY BARRIER DIODE  
WON-TOP ELECTRONICS  
Features  
Schottky Barrier Chip  
Guard Ring for Transient and ESD Protection  
Surge Overload Rating to 50A Peak  
Low Power Loss, High Efficiency  
Ideally Suited for Use in High Frequency  
SMPS, Inverters and As Free Wheeling Diodes  
A
B
A
Mechanical Data  
C
Case: DO-41, Molded Plastic  
Terminals: Plated Leads Solderable per  
MIL-STD-202, Method 208  
Polarity: Cathode Band  
Weight: 0.35 grams (approx.)  
Mounting Position: Any  
Marking: Type Number  
Lead Free: For RoHS / Lead Free Version,  
Add “-LF” Suffix to Part Number, See Page 4  
D
DO-41  
Dim  
A
Min  
25.4  
4.06  
0.71  
2.00  
Max  
—
B
5.21  
0.864  
2.72  
C
D
All Dimensions in mm  
Maximum Ratings and Electrical Characteristics @TA=25°C unless otherwise specified  
Single Phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.  
For capacitive load, derate current by 20%.  
SB  
220S  
SB  
230S  
SB  
240S  
SB  
250S  
SB  
260S  
SB  
SB  
Characteristic  
Symbol  
Unit  
280S 2100S  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
Working Peak Reverse Voltage  
DC Blocking Voltage  
VRRM  
VRWM  
VR  
20  
14  
30  
21  
40  
28  
50  
60  
42  
80  
56  
100  
70  
V
RMS Reverse Voltage  
VR(RMS)  
IO  
35  
V
A
Average Rectified Output Current (Note 1)  
2.0  
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current  
8.3ms Single Half Sine-Wave Superimposed on  
Rated Load (JEDEC Method)  
IFSM  
50  
A
Forward Voltage  
@IF = 2.0A  
VFM  
IRM  
CJ  
0.50  
0.70  
0.85  
100  
V
mA  
pF  
Peak Reverse Current  
At Rated DC Blocking Voltage  
@TJ = 25°C  
@TJ = 100°C  
0.5  
10  
Typical Junction Capacitance (Note 2)  
150  
Thermal Resistance, Junction to Ambient (Note 3)  
Thermal Resistance, Junction to Lead (Note 3)  
RθJA  
RθJL  
50  
15  
°C/W  
Operating Temperature Range  
Storage Temperature Range  
TJ  
-65 to +125  
-65 to +150  
°C  
°C  
TSTG  
-65 to +150  
Note: 1. Leads maintained at ambient temperature at a distance of 9.5mm from the case.  
2. Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0V D.C.  
3. Vertical PCB mounting with 12.7mm lead length on 63.5 x 63.5mm copper pad.  
© Won-Top Electronics Co., Ltd.  
Revision: September, 2012  
www.wontop.com  
1
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SB250S-LF WTE

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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 2A, 50V V(RRM), Silicon, DO-41, ROHS COMPLI
SB250S-T3 WTE

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 		2.0A SCHOTTKY BARRIER DIODE
SB250S-T3-LF WTE

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 		暂无描述
SB250S-TB WTE

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 		2.0A SCHOTTKY BARRIER DIODE
SB250S-TB-LF WTE

获取价格

 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 2A, 50V V(RRM), Silicon, DO-41, ROHS COMPLI
SB250-T3 WTE

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 		2.0A SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER
SB250-T3-LF WTE

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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 2A, 50V V(RRM), Silicon, DO-15, ROHS COMPLI
SB250-TB WTE

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 		2.0A SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER
SB250-TB-LF WTE

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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 2A, 50V V(RRM), Silicon, DO-15, ROHS COMPLI
SB250T-G COMCHIP

获取价格

 		Leaded Schottky Barrier Rectifiers

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