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SB2150S-LF

更新时间： 2024-02-22 18:05:26

品牌	Logo	应用领域
WTE		功效瞄准线二极管
页数	文件大小	规格书
4页	41K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 2A, 150V V(RRM), Silicon, DO-41,

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SB2150S-LF 技术参数

生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.64	其他特性：	FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS
应用：	EFFICIENCY	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	0.9 V
JEDEC-95代码：	DO-41	JESD-30 代码：	O-PALF-W2
最大非重复峰值正向电流：	50 A	元件数量：	1
相数：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-65 °C
最大输出电流：	2 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	LONG FORM
最大重复峰值反向电压：	150 V	最大反向电流：	200 µA
表面贴装：	NO	技术：	SCHOTTKY
端子形式：	WIRE	端子位置：	AXIAL
Base Number Matches：	1

SB2150S-LF 数据手册

SB2150S – SB2200S

2.0A HIGH VOLTAGE SCHOTTKY BARRIER DIODE

WON-TOP ELECTRONICS

Features



Schottky Barrier Chip



Guard Ring for Transient and ESD Protection

Surge Overload Rating to 50A Peak

Low Power Loss, High Efficiency

Ideally Suited for Use in High Frequency

SMPS, Inverters and As Free Wheeling Diodes

Mechanical Data



Case: DO-41, Molded Plastic

Terminals: Plated Leads Solderable per

MIL-STD-202, Method 208

Polarity: Cathode Band

Weight: 0.35 grams (approx.)

Mounting Position: Any

Marking: Type Number

Lead Free: For RoHS / Lead Free Version,

Add “-LF” Suffix to Part Number, See Page 4

DO-41

Dim

Min

25.4

4.06

0.71

2.00

Max

—



5.21

0.864

2.72

All Dimensions in mm

Maximum Ratings and Electrical Characteristics @T_A=25°C unless otherwise specified

Single Phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.

For capacitive load, derate current by 20%.

Characteristic

Symbol

SB2150S

SB2200S

Unit

Peak Repetitive Reverse Voltage

Working Peak Reverse Voltage

DC Blocking Voltage

VRRM

VRWM

150

105

200

140

RMS Reverse Voltage

VR(RMS)

Average Rectified Output Current (Note 1)

2.0

Non-Repetitive Peak Forward Surge Current

8.3ms Single Half Sine-Wave Superimposed on

Rated Load (JEDEC Method)

IFSM

Forward Voltage

@I_F= 2.0A

VFM

IRM

0.9

Peak Reverse Current

At Rated DC Blocking Voltage

@T_J= 25°C

@T_J= 100°C

0.2

5.0

Typical Junction Capacitance (Note 2)

Thermal Resistance, Junction to Ambient (Note 3)

Thermal Resistance, Junction to Lead (Note 3)

RθJA

RθJL

°C/W

°C

Operating and Storage Temperature Range

TJ, TSTG

-65 to +150

Note: 1. Leads maintained at ambient temperature at a distance of 9.5mm from the case.

2. Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0V D.C.

3. Vertical PCB mounting with 12.7mm lead length on 63.5 x 63.5mm copper pad.

Revision: September, 2012

www.wontop.com

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SB2150S-T3	WTE	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 2A, 150V V(RRM), Silicon, DO-41,
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SB2150-TP	MCC	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 2A, 150V V(RRM), Silicon, DO-15,
SB2150-TP-HF	MCC	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 2A, 150V V(RRM), Silicon, DO-15,
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