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SB210S

更新时间： 2024-02-16 15:48:06
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SECOS /
页数 文件大小 规格书
2页 261K
描述
Voltage 20V ~100V 2.0Amp Schottky Barrier Bridge Rectifers

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SB210S 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Contact Manufacturer
包装说明：R-PSIP-W4针数：4
Reach Compliance Code：unknownHTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.27其他特性：UL RECOGNIZED
最小击穿电压：1000 V配置：BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：1 VJESD-30 代码：R-PSIP-W4
最大非重复峰值正向电流：60 A元件数量：4
相数：1端子数量：4
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
最大输出电流：2 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：1000 V
最大反向电流：10 µA子类别：Bridge Rectifier Diodes
表面贴装：NO端子形式：WIRE
端子位置：SINGLE

SB210S 数据手册

 浏览型号SB210S的Datasheet PDF文件第2页 
SB22S ~ SB210S  
Voltage 20V ~ 100V  
2.0 Amp Schottky Barrier Bridge Rectifiers  
Elektronische Bauelemente  
RoHS Compliant Product  
A suffix of “-C” specifies halogen & lead-free  
FEATURES  
MDS  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
Metal-Semiconductor junction with guarding  
Epitaxial construction  
Very low forward voltage drop  
High current capability  
Plastic material has UL flammability classification 94V-0  
Application  
ꢀ
For use in low voltage, high frequency inverters,  
free wheeling, and polarity protection.  
MECHANICAL DATA  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
Case: Molded Plastic  
Polarity: Indicated by cathode band  
Weight: 0.0044 ounces, 0.125 grams  
Millimeter  
Millimeter  
REF.  
REF.  
Min.  
Max.  
7.0  
4.2  
0.8  
2.7  
4.9  
2.7  
Min.  
Max.  
A
B
C
D
E
F
-
G
H
I
J
K
1.3  
0.7  
0.1  
1.7  
1.1  
0.35  
3.6  
0.5  
2.3  
4.5  
2.3  
PACKAGE INFORMATION  
0.2(TYP.)  
0.5*15°  
Package  
MPQ  
3K  
Leader Size  
MDS  
13 inch  
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
(Rating 25°C ambient temperature unless otherwise specified. Single phase half wave, 60Hz, resistive or inductive load.  
For capacitive load, de-rate current by 20%.)  
Part Number  
Parameter  
Symbol  
Unit  
SB  
SB  
SB  
SB  
SB  
SB  
SB  
SB  
22S  
23S  
24S  
25S 26S 27S 28S 210S  
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage  
Maximum RMS Bridge Input Voltage  
Maximum DC Blocking Voltage  
VRRM  
VRMS  
VDC  
20  
14  
20  
30  
21  
30  
40  
28  
40  
50  
35  
50  
60  
42  
60  
80  
56  
80  
90  
63  
90  
100  
70  
V
V
V
100  
Maximum Average Forward Rectified Current  
@TL=100°C  
I(AV)  
2
A
Peak Forward Surge Current 8.3 ms Single Half  
Sine-Wave Super Imposed on Rated Load  
(JEDEC Method)  
IFSM  
VF  
IR  
50  
A
V
Maximum Forward Voltage @ 1A DC  
0.55  
0.7  
1
0.85  
TJ=25°C  
Maximum DC Reverse Current  
mA  
at Rated DC Blocking Voltage  
TJ=100°C  
20  
125  
20  
Typical Junction Capacitance 1  
CJ  
pF  
°C / W  
°C  
Typical Thermal Resistance 2  
RθJL  
Operating and Storage temperature range  
TJ,TSTG  
-55~125, -55~150  
Note:  
1. Measured at 1.0MHz and applied reverse voltage of 4.0V DC.  
2. Thermal resistance junction to lead.  
http://www.SeCoSGmbH.com/  
Any changes of specification will not be informed individually.  
22-Mar -2012 Rev. A  
Page 1 of 2  
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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