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SB2040PT

更新时间： 2024-01-05 07:20:31
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WTE /
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3页 37K
描述
20A SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER

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SB2040PT 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：O-PALF-W2
针数：2Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.64Is Samacsys：N
应用：GENERAL PURPOSE外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODEJESD-30 代码：O-PALF-W2
最大非重复峰值正向电流：550 A元件数量：1
相数：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-50 °C
最大输出电流：20 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：LONG FORM
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：40 V
表面贴装：NO技术：SCHOTTKY
端子形式：WIRE端子位置：AXIAL
Base Number Matches：1

SB2040PT 数据手册

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WTE  
PO WER SEMICONDUCTORS  
SB2030PT – SB2060PT  
20A SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER  
Features  
!
Schottky Barrier Chip  
H
!
!
!
!
!
Guard Ring for Transient Protection  
High Current Capability, Low Forward  
Low Reverse Leakage Current  
High Surge Current Capability  
Plastic Material has UL Flammability  
Classification 94V-O  
TO-3P  
Dim  
A
B
C
D
E
Min  
3.20  
Max  
3.50  
S
4.59  
5.16  
J
K
20.80  
19.70  
2.10  
21.30  
20.20  
2.40  
R
PIN1  
2
3
L
P
0.51  
0.76  
G
H
J
15.90  
1.70  
16.40  
2.70  
3.10 Ø  
3.50  
3.30 Ø  
4.51  
K
L
Mechanical Data  
N
!
!
Case: Molded Plastic  
5.20  
5.70  
M
N
P
Terminals: Plated Leads Solderable per  
MIL-STD-750, Method 2026  
Polarity: As Marked on Body  
Weight: 5.6 grams (approx.)  
Mounting Position: Any  
M
1.12  
1.22  
2.90  
3.30  
A
11.70  
12.80  
R
S
!
!
!
!
B
4.30 Typical  
All Dimensions in mm  
Marking: Type Number  
C
PIN 1 -  
PIN 3 -  
+
Case PIN 2  
G
D
E
Maximum Ratings and Electrical Characteristics @TA=25°C unless otherwise specified  
Single Phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.  
For capacitive load, derate current by 20%.  
SB  
SB  
SB  
SB  
SB  
SB  
Characteristic  
Symbol  
Unit  
2030PT 2035PT 2040PT 2045PT 2050PT 2060PT  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
Working Peak Reverse Voltage  
DC Blocking Voltage  
VRRM  
VRWM  
VR  
30  
21  
35  
40  
28  
45  
50  
35  
60  
42  
V
RMS Reverse Voltage  
VR(RMS)  
IO  
24.5  
31.5  
V
A
Average Rectified Output Current  
@TC = 100°C  
20  
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current 8.3ms  
Single half sine-wave superimposed on rated load  
(JEDEC Method)  
IFSM  
250  
A
Forward Voltage  
@IF = 10A  
VFM  
IRM  
0.55  
0.75  
V
Peak Reverse Current  
At Rated DC Blocking Voltage  
@TA = 25°C  
@TA = 100°C  
1.0  
50  
mA  
Typical Junction Capacitance (Note 1)  
Cj  
1100  
2.5  
pF  
K/W  
°C  
Typical Thermal Resistance Junction to Case (Note 2)  
Operating and Storage Temperature Range  
RꢀJC  
Tj, TSTG  
-65 to +150  
Note: 1. Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0V D.C.  
2. Thermal resistance junction to case mounted on heatsink.  
SB2030PT – SB2060PT  
1 of 3  
© 2002 Won-Top Electronics  
123

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