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SB20200CT PDF预览

SB20200CT

更新时间： 2024-09-26 14:53:35
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WON-TOP /
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4页 42K
描述
Powerpack

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SB20200CT 技术参数

生命周期：Active零件包装代码：TO-220AB
包装说明：R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.4
Is Samacsys：N其他特性：LOW LEAKAGE CURRENT
应用：HIGH VOLTAGE外壳连接：CATHODE
配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODEJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3最大非重复峰值正向电流：200 A
元件数量：2相数：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-65 °C最大输出电流：10 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT最大重复峰值反向电压：200 V
表面贴装：NO技术：SCHOTTKY
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
Base Number Matches：1

SB20200CT 数据手册

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®
SB20150CT – SB20200CT  
20A HIGH VOLTAGE DUAL SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER  
WON-TOP ELECTRONICS  
Features  
Schottky Barrier Chip  
B
Guard Ring for Transient Protection  
Low Forward Voltage Drop  
Low Power Loss, High Efficiency  
High Surge Current Capability  
Epoxy Meets UL 94V-0 Classification  
Ideally Suited for Use in High Frequency  
SMPS, Inverters and As Free Wheeling Diodes  
TO-220  
C
Dim  
A
B
C
D
E
Min  
13.90  
9.80  
2.54  
3.56  
12.70  
0.51  
3.55 Ø  
5.75  
4.16  
2.03  
0.30  
1.14  
2.29  
Max  
15.90  
10.70  
3.43  
G
A
E
PIN1  
2
3
4.56  
D
14.73  
0.96  
F
G
H
I
4.09 Ø  
6.85  
Mechanical Data  
F
Case: TO-220, Molded Plastic  
Terminals: Plated Leads Solderable per  
MIL-STD-202, Method 208  
Polarity: See Diagram  
Weight: 1.9 grams (approx.)  
5.00  
P
J
2.92  
K
L
0.65  
I
1.40  
P
2.79  
Mounting Position: Any  
H
L
J
All Dimensions in mm  
Mounting Torque: 0.6 N.m Max.  
Lead Free: For RoHS / Lead Free Version,  
Add “-LF” Suffix to Part Number, See Page 4  
PIN 1  
PIN 3  
PIN 2  
Case  
K
Maximum Ratings and Electrical Characteristics @TA=25°C unless otherwise specified  
Single Phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load. For capacitive load, derate current by 20%.  
Characteristic  
Symbol  
SB20150CT  
SB20200CT  
Unit  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
Working Peak Reverse Voltage  
DC Blocking Voltage  
VRRM  
VRWM  
VR  
150  
105  
200  
140  
V
RMS Reverse Voltage  
VR(RMS)  
IO  
V
A
Average Rectified Output Current  
@TC = 100°C  
Total Device  
Per Diode  
20  
10  
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current  
8.3ms Single Half Sine-Wave Superimposed on  
Rated Load (JEDEC Method)  
IFSM  
VFM  
150  
A
V
Forward Voltage per diode  
@IF = 10A, TJ = 25°C  
@IF = 10A, TJ = 125°C  
0.92  
0.82  
Peak Reverse Current  
At Rated DC Blocking Voltage  
@TJ = 25°C  
@TJ = 100°C  
0.2  
10  
IRM  
CJ  
mA  
pF  
Typical Junction Capacitance (Note 1)  
250  
Thermal Resistance Junction to Ambient per diode  
Thermal Resistance Junction to Case per diode  
RθJA  
RθJC  
60  
2.0  
°C/W  
°C  
Operating and Storage Temperature Range  
TJ, TSTG  
-55 to +150  
Note: 1. Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0V D.C.  
© Won-Top Electronics Co., Ltd.  
Revision: September, 2012  
www.wontop.com  
1
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与SB20200CT相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SB20200CT-LF WTE

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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 10A, 200V V(RRM), Silicon, TO-220AB, ROHS C
SB20200DC WON-TOP

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 		SMD
SB20200FCT GULFSEMI

获取价格

 		SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER VOLTAGE: 200V CURRENT: 20.0A
SB20200FCT WTE

获取价格

 		20A HIGH VOLTAGE DUAL SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER
SB20200FCT WON-TOP

获取价格

 		Powerpack
SB2020CT PANJIT

获取价格

 		SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS(VOLTAGE- 20 to 100 Volts CURRENT - 20.0 Ampere)
SB2020CT WTE

获取价格

 		20A SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER
SB2020CT MCC

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 		20 Amp Schottky Barrier Rectifier 20 to 100 Volts
SB2020CT LGE

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 		20A Dual Schottky Barrier Rectifier
SB2020CT PACELEADER

获取价格

 		SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER

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