SB1620FCT

更新时间： 2024-02-24 09:10:21

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WTE		分离技术隔离技术
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描述
16A ISOLATION SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER

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SB1620FCT 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	TO-220AB	包装说明：	R-PSFM-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.26	Is Samacsys：	N
其他特性：	LOW LEAKAGE CURRENT	应用：	GENERAL PURPOSE
外壳连接：	ISOLATED	配置：	COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	0.55 V	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	2	最大非重复峰值正向电流：	150 A
元件数量：	2	相数：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-65 °C	最大输出电流：	8 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	260
最大重复峰值反向电压：	20 V	子类别：	Rectifier Diodes
表面贴装：	NO	技术：	SCHOTTKY
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
Base Number Matches：	1

SB1620FCT 数据手册

WTE

POWER SEMICONDUCTORS

SB1620FCT – SB16100FCT

16A ISOLATION SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER

Features

Schottky Barrier Chip

Guard Ring for Transient Protection

High Current Capability, Low Forward

Low Reverse Leakage Current

High Surge Current Capability

Plastic Material has UL Flammability

Classification 94V-O

ITO-220

Dim

Min

14.9

—

Max

15.1

10.5

2.87

4.06

14.22

0.94

3.91 Ø

6.86

4.70

2.79

0.64

1.40

2.67

2.62

3.56

13.46

0.68

3.74 Ø

5.84

4.44

2.54

0.35

1.14

2.41

PIN1

ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ D

Mechanical Data

Case: ITO-220 Full Molded Plastic

Terminals: Plated Leads Solderable per

MIL-STD-750, Method 2026

Polarity: As Marked on Body

Weight: 2.24 grams (approx.)

Mounting Position: Any

All Dimensions in mm

Marking: Type Number

PIN 1 -

PIN 3 -

PIN 2

Maximum Ratings and Electrical Characteristics ^@T_A^{=25°C unless otherwise specified}

Single Phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.

For capacitive load, derate current by 20%.

Characteristic

Symbol

Unit

1620FCT 1630FCT 1640FCT 1650FCT 1660FCT 1680FCT 16100FCT

Peak Repetitive Reverse Voltage

Working Peak Reverse Voltage

DC Blocking Voltage

V^RRM

V^RWM

V^R

100

RMS Reverse Voltage

V^R(RMS)

I^O

Average Rectified Output Current @T_C= 95°C

Non-Repetitive Peak Forward Surge Current

8.3ms Single half sine-wave superimposed on

rated load (JEDEC Method)

I^FSM

150

Forward Voltage

@I_F= 8.0A

V^FM

I^RM

0.55

0.75

0.85

Peak Reverse Current

At Rated DC Blocking Voltage

@T_A= 25°C

@T_A= 100°C

0.5

100

Typical Junction Capacitance (Note 1)

C^j

700

°C

Operating and Storage Temperature Range

T^j, T^STG

-65 to +150

Note: 1. Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0V D.C.

SB1620FCT – SB16100FCT

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