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SB16100F PDF预览

SB16100F

更新时间： 2024-11-28 14:52:39
品牌 Logo 应用领域
WON-TOP 局域网功效瞄准线二极管
页数 文件大小 规格书
4页 43K
描述
Powerpack

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SB16100F 技术参数

生命周期：Active包装说明：R-PSFM-T2
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.65
Is Samacsys：N其他特性：FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS
应用：EFFICIENCY外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.85 V
JEDEC-95代码：TO-220ACJESD-30 代码：R-PSFM-T2
最大非重复峰值正向电流：150 A元件数量：1
相数：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
最大输出电流：16 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
最大重复峰值反向电压：100 V最大反向电流：500 µA
表面贴装：NO技术：SCHOTTKY
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
Base Number Matches：1

SB16100F 数据手册

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®
SB1620F – SB16100F  
16A SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER  
WON-TOP ELECTRONICS  
Features  
Schottky Barrier Chip  
B
Guard Ring for Transient Protection  
Low Forward Voltage Drop  
Low Power Loss, High Efficiency  
High Surge Current Capability  
Epoxy Meets UL 94V-0 Classification  
Ideally Suited for Use in High Frequency  
SMPS, Inverters and As Free Wheeling Diodes  
ITO-220A  
C
Dim  
A
B
C
D
E
Min  
14.60  
9.70  
2.55  
—
Max  
15.40  
10.30  
2.85  
G
A
E
PIN1  
3
4.16  
D
13.00  
0.30  
3.00 Ø  
6.30  
4.20  
2.50  
0.36  
2.60  
4.83  
13.80  
0.90  
F
G
H
I
3.50 Ø  
6.90  
Mechanical Data  
F
Case: ITO-220A, Full Molded Plastic  
Terminals: Plated Leads Solderable per  
MIL-STD-202, Method 208  
Polarity: See Diagram  
Weight: 1.9 grams (approx.)  
4.80  
P
J
2.90  
K
L
0.80  
I
3.30  
P
5.33  
Mounting Position: Any  
H
L
J
All Dimensions in mm  
Mounting Torque: 0.6 N.m Max.  
Lead Free: For RoHS / Lead Free Version,  
Add “-LF” Suffix to Part Number, See Page 4  
PIN 1  
PIN 3  
K
Maximum Ratings and Electrical Characteristics @TA=25°C unless otherwise specified  
Single Phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load. For capacitive load, derate current by 20%.  
SB  
SB  
SB  
SB  
SB  
SB  
SB  
SB  
Characteristic  
Symbol  
Unit  
1620F 1630F 1640F 1645F 1650F 1660F 1680F 16100F  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
Working Peak Reverse Voltage  
DC Blocking Voltage  
VRRM  
VRWM  
VR  
20  
14  
30  
21  
40  
28  
45  
32  
50  
35  
60  
42  
80  
56  
100  
70  
V
RMS Reverse Voltage  
VR(RMS)  
IO  
V
A
Average Rectified Output Current @TC = 100°C  
16  
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current  
8.3ms Single Half Sine-Wave Superimposed  
on Rated Load (JEDEC Method)  
IFSM  
VFM  
150  
A
V
Forward Voltage  
@IF = 16A, TJ = 25°C  
@IF = 16A, TJ = 125°C  
0.63  
0.57  
0.75  
0.65  
0.85  
0.75  
Peak Reverse Current  
At Rated DC Blocking Voltage  
@TJ = 25°C  
@TJ = 100°C  
0.5  
20  
IRM  
CJ  
mA  
pF  
Typical Junction Capacitance (Note 1)  
500  
350  
Thermal Resistance Junction to Ambient  
Thermal Resistance Junction to Case  
RθJA  
RθJC  
75  
4.0  
°C/W  
RMS Isolation Voltage, t = 1 min  
VISO  
1500  
V
Operating and Storage Temperature Range  
TJ, TSTG  
-55 to +150  
°C  
Note: 1. Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0V D.C.  
© Won-Top Electronics Co., Ltd.  
Revision: September, 2012  
www.wontop.com  
1
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