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2N6517

更新时间: 2024-01-13 13:25:47
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三星 - SAMSUNG 晶体晶体管
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1页 41K
描述
NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR

2N6517 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active包装说明:CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Code:compliant风险等级:5.06
集电极-发射极最大电压:350 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):20JEDEC-95代码:TO-92
JESD-30 代码:O-PBCY-T3JESD-609代码:e3
元件数量:1端子数量:3
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:ROUND
封装形式:CYLINDRICAL峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:NPN认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO端子面层:Matte Tin (Sn)
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:10晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):40 MHzBase Number Matches:1

2N6517 数据手册

  

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