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2N5210

更新时间: 2024-01-21 04:10:42
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三星 - SAMSUNG 晶体晶体管
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1页 38K
描述
NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR

2N5210 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:ActiveReach Compliance Code:not_compliant
风险等级:5.68其他特性:LOW NOISE
基于收集器的最大容量:4 pF集电极-发射极最大电压:50 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):200
JEDEC-95代码:TO-92JESD-30 代码:O-PBCY-T3
JESD-609代码:e0元件数量:1
端子数量:3封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:ROUND封装形式:CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:NPN
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子面层:TIN LEAD端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):30 MHz
VCEsat-Max:0.7 VBase Number Matches:1

2N5210 数据手册

  

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