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2N5089

更新时间: 2024-02-26 15:16:10
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三星 - SAMSUNG 晶体晶体管
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1页 37K
描述
NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR

2N5089 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.63Is Samacsys:N
最大集电极电流 (IC):0.1 A基于收集器的最大容量:4 pF
集电极-发射极最大电压:25 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):400JEDEC-95代码:TO-92
JESD-30 代码:O-PBCY-T3元件数量:1
端子数量:3封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:ROUND封装形式:CYLINDRICAL
极性/信道类型:NPN认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:BOTTOM晶体管元件材料:SILICON
VCEsat-Max:0.5 VBase Number Matches:1

2N5089 数据手册

  

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