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SAF27N06-030L

更新时间： 2024-11-30 19:18:39

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SENSITRON		局域网
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3页	45K
描述
Power Field-Effect Transistor, TO-257, HERMETIC SEALED, METAL, MODIFIED TO-257CG, 3 PIN

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SAF27N06-030L 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-257
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-MSFM-P3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.84
JEDEC-95代码：	TO-257	JESD-30 代码：	R-MSFM-P3
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	METAL	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	PIN/PEG	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

SAF27N06-030L 数据手册

SAF27N06-030L

SENSITRON

SEMICONDUCTOR

TECHNICAL DATA

DATA SHEET 4277, REV. C

RAD TOLERANT LOW R_DSHERMETIC POWER MOSFET

N-CHANNEL

FEATURES:

•

60 Volt, 0.03 Ohm, 40A MOSFET (current limited to 27A by package)

Characterized at V_GSof 4.5V for Logic Level Drive

Total Dose Characterized to 300 Krad

Single Event Effect Capability Equivalent to 33 MeV cm²/mg LET

Ceramic Seals with Glidcop leads

Isolated Hermetic Metal Package

Also available with glass seals and copper core alloy 52 leads

MAXIMUM RATINGS

ALL RATINGS ARE AT T_C= 25°C UNLESS OTHERWISE SPECIFIED.

RATING

SYMBOL

V_GS

MIN.

-55

TYP.

MAX.

±20

UNITS

Volts

Amps

°C

Watts

°C/W

GATE TO SOURCE VOLTAGE

ON-STATE DRAIN CURRENT

PULSED DRAIN CURRENT

OPERATING AND STORAGE TEMPERATURE

TOTAL DEVICE DISSIPATION

THERMAL RESISTANCE, JUNCTION TO CASE

I_D25

I_DM

T_J/T_STG

P_D

R_θJC

+150

165

0.75

ELECTRICAL CHARACTERISTICS

CHARACTERISTIC

SYMBOL

MIN.

TYP.

MAX.

UNITS

DRAIN TO SOURCE BREAKDOWN VOLTAGE

BV_DSS

Volts

V_GS= 0V, I_D= 250µA

STATIC DRAIN TO SOURCE ON STATE RESISTANCE

R_DS(ON)

Ω

V_GS= 10V, I_D= 20A

0.025

0.028

0.030

0.033

V_GS= 4.5V, I_D= 20A

GATE THRESHOLD VOLTAGE V_DS= V_GS, I_D= 250µA

FORWARD TRANSCONDUCTANCE

V_GS(th)

g_fs

Volts

S(1/Ω)

V_DS= 15V, I_D= 20A

ZERO GATE VOLTAGE DRAIN CURRENT

I_DSS

I_GSS

_DS= Max. rating, V_GS= 0V, T_J= 25°C

µA

T_J= 125°C

GATE TO SOURCE LEAKAGE FORWARD

GATE TO SOURCE LEAKAGE REVERSE

TURN ON DELAY TIME

V_GS= 20V

_GS= -20V

100

-100

V_DD= 50V

I_D= 20A

t_d(ON)

t_r

RISE TIME

nsec

TURN OFF DELAY TIME

V_GS= 10V

t_d(OFF)

t_f

V_SD

1.0

120

1.5

FALL TIME

DIODE FORWARD VOLTAGE

Pulse test, t ≤ 300 µs, duty cycle d ≤ 2 %

REVERSE RECOVERY TIME

R_G= 2.5Ω

I_F= 20A, V_GS= 0V

Volts

nsec

T_J= 25°C,

I_F= 20A, V_R= 50V

di/dt = 100A/µsec

t_rr

120

•221 WEST INDUSTRY COURT • DEER PARK, NY 11729-4681 • PHONE (631) 586-7600 • FAX (631) 242-9798•

• World Wide Web Site - www.sensitron.com • E-Mail Address - sales@sensitron.com •

12 3

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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SAF27N20-080L	SENSITRON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 27A I(D), 200V, 0.08ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
SAF280ME10N	MURATA	获取价格	SAW Filter
SAF281MC10N	MURATA	获取价格	SAW Filter, F11, 4 PIN
SAF281ME10N	MURATA	获取价格	SAW Filter
SAF284ME15N	MURATA	获取价格	SAW Filter
SAF-3.15-1000	NUVOTEM TALEMA	获取价格	General Purpose Inductor, 1000uH, 25%, Amorphous Metal Alloy-Core,
SAF-3.15-1500	NUVOTEM TALEMA	获取价格	General Purpose Inductor, 1500uH, 25%, Amorphous Metal Alloy-Core,
SAF-3.15-22	NUVOTEM TALEMA	获取价格	General Purpose Inductor, 22uH, 25%, Amorphous Metal Alloy-Core, 8989,
SAF-3.15-220	NUVOTEM TALEMA	获取价格	General Purpose Inductor, 220uH, 25%, Amorphous Metal Alloy-Core,

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