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力特 - LITTELFUSE | 二极管 | |
页数 | 文件大小 | 规格书 |
4页 | 131K | |
描述 | ||
Transient Voltage Suppression Diodes |
是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
零件包装代码: | DO-15 | 包装说明: | O-PALF-W2 |
针数: | 2 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8541.10.00.50 |
风险等级: | 5.54 | 其他特性: | UL RECOGNIZED |
最小击穿电压: | 55.5 V | 外壳连接: | ISOLATED |
最大钳位电压: | 88 V | 配置: | SINGLE |
二极管元件材料: | SILICON | 二极管类型: | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE |
JEDEC-95代码: | DO-204AC | JESD-30 代码: | O-PALF-W2 |
JESD-609代码: | e3 | 湿度敏感等级: | 1 |
最大非重复峰值反向功率耗散: | 500 W | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 最高工作温度: | 175 °C |
最低工作温度: | -55 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | ROUND | 封装形式: | LONG FORM |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 极性: | UNIDIRECTIONAL |
最大功率耗散: | 3 W | 认证状态: | Not Qualified |
最大重复峰值反向电压: | 50 V | 子类别: | Transient Suppressors |
表面贴装: | NO | 技术: | AVALANCHE |
端子面层: | Matte Tin (Sn) | 端子形式: | WIRE |
端子位置: | AXIAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
SAC50-BP-HF | MCC |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 50V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-1 | |
SAC50E3 | MICROSEMI |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 50V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-4 | |
SAC50-E3/1 | VISHAY |
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DIODE 500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-204AC, PLASTIC, DO-15, 2 PIN, Transien | |
SAC50-E3/54 | VISHAY |
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DIODE 500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-204AC, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DO-15, | |
SAC50-E3/73 | VISHAY |
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TVS DIODE 50V 88V DO204AC | |
SAC50P | MCC |
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DIODE 500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-15, PLASTIC PACKAGE-2, Transient Suppr | |
SAC57D52LCVLT | NXP |
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ARM 32-bit MCU, Triple core, 2MB Flash, 1.3MB gRAM, 1MB sysRAM, -40/+105degC, LQFP 208 | |
SAC57D53MCVLT | NXP |
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ARM 32-bit MCU, Triple core, 3MB Flash, 1.3MB gRAM, 1MB sysRAM, -40/+105degC, LQFP 208 | |
SAC57D53MCVMO | NXP |
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ARM 32-bit MCU, Triple core, 3MB Flash, 1.3MB gRAM, 1MB sysRAM, -40/+105degC, 516 MAPBGA | |
SAC-5P-0,34-OE-OE-240-100,0SH | PHOENIX |
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Wire And Cable |