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SA5200D-T

更新时间: 2024-02-20 23:07:29
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP /
页数 文件大小 规格书
14页 376K
描述
RF/Microwave Amplifier, 0 MHz - 1200 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND MEDIUM POWER AMPLIFIER

SA5200D-T 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Transferred
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.77
JESD-609代码:e0安装特点:SURFACE MOUNT
端子数量:8最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装等效代码:SOP8,.25电源:5 V
子类别:RF/Microwave Amplifiers最大压摆率:8.4 mA
表面贴装:YES技术:BIPOLAR
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)Base Number Matches:1

SA5200D-T 数据手册

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INTEGRATED CIRCUITS  
IN2  
4
GND2  
3
OUT2  
2
VCC  
1
AMP2  
AMP1  
5
6
7
8
ENABLE  
IN1  
GND1  
OUT1  
SA5200  
RF dual gain-stage  
Product Specification  
Replaces data of Oct 10 1991  
1997 Nov 07  
IC17 Data Handbook  
Philip s Se m ic ond uc tors  

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