是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | O-XALF-W2 | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.69 | Is Samacsys: | N |
最大击穿电压: | 38 V | 最小击穿电压: | 31.1 V |
外壳连接: | ISOLATED | 配置: | SINGLE |
二极管元件材料: | SILICON | 二极管类型: | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE |
JEDEC-95代码: | DO-41 | JESD-30 代码: | O-XALF-W2 |
JESD-609代码: | e0 | 最大非重复峰值反向功率耗散: | 500 W |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 2 |
最高工作温度: | 150 °C | 最低工作温度: | -55 °C |
封装主体材料: | UNSPECIFIED | 封装形状: | ROUND |
封装形式: | LONG FORM | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性: | UNIDIRECTIONAL | 最大功率耗散: | 2.5 W |
最大重复峰值反向电压: | 28 V | 表面贴装: | NO |
技术: | AVALANCHE | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | WIRE | 端子位置: | AXIAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
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