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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | O-PALF-W2 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.50 | 风险等级： | 5.64 |
| 最大击穿电压： | 14.9 V | 最小击穿电压： | 12.2 V |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE |
| JEDEC-95代码： | DO-41 | JESD-30 代码： | O-PALF-W2 |
| 最大非重复峰值反向功率耗散： | 500 W | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 175 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | LONG FORM |
| 极性： | UNIDIRECTIONAL | 最大功率耗散： | 2.5 W |
| 最大重复峰值反向电压： | 11 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | AVALANCHE | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | AXIAL | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SA11-E3 | VISHAY |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 11V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-2 |
|
| SA11-E3/54 | VISHAY |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 11V V(RWM), Unidirectional, |
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| SA11E3/TR12 | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 11V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-4 |
|
| SA11E3/TR8 | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 11V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-4 |
|
| SA11EM100A19R35XXX^ | AISHI |
获取价格 |
Polymer D Case: 7.3x4.3 |
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| SA11EM100A19R60XXX^ | AISHI |
获取价格 |
Polymer D Case: 7.3x4.3 |
|
| SA11EM150A19R60XXX^ | AISHI |
获取价格 |
Polymer D Case: 7.3x4.3 |
|
| SA11EM220A19R60XXX^ | AISHI |
获取价格 |
Polymer D Case: 7.3x4.3 |
|
| SA11EM2R2A19RC5XXX^ | AISHI |
获取价格 |
Polymer D Case: 7.3x4.3 |
|
| SA11EM330A19R60XXX^ | AISHI |
获取价格 |
Polymer D Case: 7.3x4.3 |
|
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