S9016LT1

更新时间： 2024-11-21 03:33:55

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江苏长电/长晶 - CJ		晶体晶体管
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1页	37K
描述
TRANSISTOR (NPN)

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S9016LT1 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.61
Is Samacsys：	N	Base Number Matches：	1

S9016LT1 数据手册

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS INDUSTIAL CO., LTD

SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors

S9016LT1 TRANSISTOR (NPN)

SOT-23

1. BASE

FEATURES

2. EMITTER

3. COLLECTOR

Power dissipation

P_CM:

200

mW (Tamb=25℃)

2. 4

1. 3

Collector current

I_CM:

0.025

Collector-base voltage

V_(BR)CBO

Operating and storage junction temperature range

Unit: mm

T_J, T_stg: -55℃ to +150℃

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb=25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

V_(BR)CBO

V_(BR)CEO

V_(BR)EBO

I_CBO

Test conditions

Ic= 100µA, I_E=0

Ic= 0.1mA, I_B=0

MIN

TYP

MAX

UNIT

Collector-base breakdown voltage

Collector-emitter breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector cut-off current

I_E=100µA, I_C=0

V_CB=30V, I_E=0

0.1

200

0.3

µA

I_EBO

V_EB= 3V, I_C=0

Emitter cut-off current

H_FE(1)

V_CE=5V, I_C= 1mA

I_C=10mA, I_B= 1mA

DC current gain

V_CE(sat)

Collector-emitter saturation voltage

_CE=5V, I_C= 1mA

300

MHz

Transition frequency

f_T

f=100MHz

DEVICE MARKING

S9016LT1= Y6

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