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S9015-D-BP PDF预览

S9015-D-BP

更新时间： 2024-11-18 20:39:39
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC 晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 234K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3

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S9015-D-BP 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-92
包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.27最大集电极电流 (IC)：0.1 A
集电极-发射极最大电压：45 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：400JEDEC-95代码：TO-92
JESD-30 代码：O-PBCY-T3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：CYLINDRICAL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：PNP认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：150 MHzBase Number Matches：1

S9015-D-BP 数据手册

 浏览型号S9015-D-BP的Datasheet PDF文件第2页 
S9015-B  
S9015-C  
S9015-D  
M C C  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
20736 Marilla Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ  
$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
TM  
Micro Commercial Components  
Features  
•
•
•
•
•
TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors  
Capable of 0.45Watts(Tamb=25OC) of Power Dissipation.  
Collector-current -0.1A  
PNP Silicon  
Transistors  
Collector-base Voltage -50V  
Operating and storage junction temperature range: -55OC to +150OC  
•
·
Marking: S9015  
Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix designates  
RoHS Compliant. See ordering information)  
Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating  
Moisure Sensitivity Level 1  
TO-92  
·
·
·
A
E
Halogen free available upon request by adding suffix "-HF"  
Electrical Characteristics @ 25OC Unless Otherwise Specified  
B
Symbol  
Parameter  
Min  
Max  
Units  
OFF CHARACTERISTICS  
V(BR)CBO  
V(BR)CEO  
V(BR)EBO  
ICBO  
Collector-Base Breakdown Voltage  
-50  
-45  
-5.0  
---  
---  
---  
Vdc  
Vdc  
(I = -100uAdc, IE=0)  
C
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
(I = -1.0mAdc, IB=0)  
C
Emitter-Base Breakdown Voltage  
---  
Vdc  
C
(I = -100uAdc, IC=0)  
E
Collector Cutoff Current  
-0.05  
-0.05  
uAdc  
uAdc  
(VCB= -50Vdc, I =0)  
E
IEBO  
Emitter Cutoff Current  
---  
(VEB= -5.0Vdc, IC=0)  
ON CHARACTERISTICS  
hFE  
DC Current Gain  
60  
---  
---  
1000  
-0.3  
-1.0  
---  
D
(I = -1.0mAdc, VCE= -5.0Vdc)  
C
VCE(sat)  
VBE(sat)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Vdc  
Vdc  
(I = -100mAdc, IB= -10mAdc)  
C
Base-Emitter Saturation Voltage  
E
E
B
(I = -100mAdc, IB= -10mAdc)  
C
B
C
C
SMALL-SIGNAL CHARACTERISTICS  
STRAIGHT LEAD BENT LEAD  
BULK PACK AMMO PACK  
G
fT  
Transistor Frequency  
150  
---  
MHz  
(I =-10mAdc, VCE=-5.0Vdc, f=30MHz)  
C
DIMENSIONS  
INCHES  
MM  
DIM  
A
B
C
D
MIN  
MAX  
.185  
.185  
---  
.020  
.145  
.105  
.220  
MIN  
4.45  
4.45  
12.70  
0.41  
3.43  
2.42  
4.40  
MAX  
4.70  
4.70  
---  
0.63  
3.68  
2.67  
5.60  
NOTE  
CLASSIFICATION OF HFE  
.175  
.175  
.500  
.016  
.135  
.095  
.173  
Rank  
B
C
D
Range  
100-300  
200-600  
400-1000  
E
Straight Lead  
Bent Lead  
G
* For ammo packing detailed specification, click here to visit our website  
of product packaging for details.  
www.mccsemi.com  
1 of 2  
Revision: D  
2013/01/01  
12

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与S9015-D-BP相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
S9015D-BP MCC

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 		100mA, 45V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3
S9015-D-BP-HF MCC

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 		Small Signal Bipolar Transistor,
S9015L CJ

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 		暂无描述
S9015L-G WEITRON

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 		暂无描述
S9015LT1 WEITRON

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S9015LT1 CJ

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