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S9014-C1-BP

更新时间： 2024-11-19 19:44:43

品牌	Logo	应用领域
美微科 - MCC		晶体管
页数	文件大小	规格书
1页	124K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, PLASTIC PACKAGE-3

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S9014-C1-BP 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-92
包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.66	最大集电极电流 (IC)：	0.1 A
集电极-发射极最大电压：	45 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	200	JEDEC-95代码：	TO-92
JESD-30 代码：	O-PBCY-T3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	MATTE TIN	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	150 MHz
Base Number Matches：	1

S9014-C1-BP 数据手册

M C C

ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents

20736 Marilla Street Chatsworth

ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ

ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ

$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ

S9014

Features

TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors

Capable of 0.4Watts(Tamb=25^OC) of Power Dissipation.

NPN Silicon

Transistors

Collector-current 0.1A

Collector-base Voltage 50V

Operating and storage junction temperature range: -55^OC to +150^OC

Marking Code: S9014

Pin Configuration

TO-92

Electrical Characteristics @ 25^OC Unless Otherwise Specified

Symbol

Parameter

Min

Max

Units

OFF CHARACTERISTICS

V_(BR)CBO

V_(BR)CEO

V_(BR)EBO

I_CBO

Collector-Base Breakdown Voltage

5.0

---

Vdc

(I =100uAdc, I_E=0)

Collector-Emitter Breakdown Voltage

(I =0.1mAdc, I_B=0)

Emitter-Base Breakdown Voltage

---

Vdc

(I =100uAdc, I_C=0)

Collector Cutoff Current

(V_CB=50Vdc, I_E=0)

Collector Cutoff Current

(V_CE=35Vdc, I_B=0)

Emitter Cutoff Current

(V_EB=3.0Vdc, I_C=0)

0.1

uAdc

I_CEO

I_EBO

ON CHARACTERISTICS

h_FE

DC Current Gain

---

1000

0.3

---

Vdc

(I =1.0mAdc, V_CE=5.0Vdc)

V_CE(sat)

V_BE(sat)

Collector-Emitter Saturation Voltage

(I =100mAdc, I =5.0mAdc)

Base-Emitter Saturation Voltage

(I =100mAdc, I =5.0mAdc)

1.0

SMALL-SIGNAL CHARACTERISTICS

DIMENSIONS

f_T

Transistor Frequency

(I =10mAdc, V_CE=5.0Vdc, f=30MHz)

150

---

MHz

INCHES

DIM

MIN

.175

.500

.016

.135

.095

MAX

MIN

4.45

4.46

12.7

0.41

3.43

2.42

MAX

4.70

---

NOTE

.185

---

CLASSIFICATION OF HFE (1)

Rank

Range

200-300

300-400

400-500

.020

.145

.105

0.63

3.68

2.67

60-150

120-200

500-1000

www.mccsemi.com

Revision: 2

2003/06/30

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
S9014-C2-BP	MCC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92,
S9014-C3-BP	MCC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92,
S9014-C-AP	MCC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92,
S9014-C-B	MCC	获取价格	Transistor
S9014-C-BP	MCC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92,
S9014C-BP	MCC	获取价格	暂无描述
S9014-C-BP-HF	MCC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor,
S9014C-G	WEITRON	获取价格	Transistor
S9014C-TS01-AP	MCC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92,
S9014C-TS01-BP	MCC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92,

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