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S9013W-SOT-323

更新时间： 2024-11-22 01:25:23

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SOT-323 Plastic-Encapsulate Transistors

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S9013W-SOT-323 数据手册

S9013W

SOT-323 Plastic-Encapsulate Transistors

TRANSISTOR( NP N )

Features

SOT- 3 23

●

High Collector Current

Excellent H_FELinearity

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Parameter

Collector-Base Voltage

Value

Unit

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current

0.5

Collector Power Dissipation

Thermal Resistance From Junction To Ambient

Junction Temperature

200

P_C

R_ΘJA

T_j

℃/W

℃

625

150

Storage Temperature

T_stg

-55～+150

℃

Electrical Characteristics (Ta=25℃ Unless otherwise specified）

Parameter

Symbol

Test conditions

I_C=100µA, I_E=0

Min

Typ

Max

Unit

V_(BR)CBO

Collector-base breakdown voltage

V_(BR)CEO

V_(BR)EBO

I_CBO

I_C=1mA, I_B=0

Collector-emitter breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector cut-off current

I_E=100µA, I_C=0

V_CB=40V, I_E=0

100

400

0.6

I_CEO

V_CE=20V, I_B=0

Collector cut-off current

I_EBO

V_EB=5V, I_C=0

Emitter cut-off current

h_FE

V_CE=1V, I_C=50mA

I_C=500mA, I_B=50mA

V_CE=1V, I_C=10mA

V_CE=6V,I_C=20mA , f=30MHz

V_CB=6V, I_E=0, f=1MHz

120

150

DC current gain

V_CE(sat)

V_BE(sat)

V_BE

Collector-emitter saturation voltage

Base-emitter saturation voltage

Base-emitter voltage

1.2

0.7

f_T

MHz

Transition frequency

C_ob

Collector output capacitance

CLASSIFICATION OF h_FE

RANK

RANGE

200–350

120–200

300–400

MARKING

igh Diode Semiconductor

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