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S9013W

更新时间： 2024-11-18 08:55:39
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SECOS 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 58K
描述
0.5A , 40V NPN Plastic Encapsulated Transistor

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S9013W 技术参数

生命周期：Contact Manufacturer包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.62
最大集电极电流 (IC)：0.5 A集电极-发射极最大电压：25 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：120
JESD-30 代码：R-PDSO-G3元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：NPN表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：150 MHz
Base Number Matches：1

S9013W 数据手册

  
S9013W  
0.5A , 40V  
NPN Plastic Encapsulated Transistor  
Elektronische Bauelemente  
RoHS Compliant Product  
A suffix of “-C” specifies halogen & lead-free  
FEATURES  
SOT-323  
ꢀ
High Collector Current  
Excellent HFE Linearity  
ꢀ
A
L
3
3
Top View  
CLASSIFICATION OF hFE  
C B  
1
1
2
Product-Rank  
S9013W-L  
S9013W-H  
S9013W-J  
300~400  
2
K
F
E
Range  
120~200  
200~350  
J3  
D
Marking Code  
H
J
G
Millimeter  
Millimeter  
PACKAGE INFORMATION  
Collector  
REF.  
REF.  
Min.  
Max.  
2.20  
2.45  
1.35  
1.10  
1.40  
0.40  
Min.  
Max.  
3
A
B
C
D
E
F
1.80  
1.80  
1.15  
0.80  
1.20  
0.20  
G
H
J
0.100 REF.  
0.525 REF.  
Package  
MPQ  
Leader Size  
7 inch  
1
Base  
0.08  
0.25  
SOT-323  
3K  
K
L
-
-
0.650 TYP.  
2
Emitter  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C unless otherwise specified)  
Parameter  
Collector to Base Voltage  
Symbol  
Ratings  
Unit  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
40  
25  
V
V
Collector to Emitter Voltage  
Emitter to Base Voltage  
5
V
Collector Current - Continuous  
Collector Power Dissipation  
500  
200  
625  
mA  
mW  
PC  
Thermal Resistance From Junction To Ambient  
Junction, Storage Temperature  
RθJA  
TJ, TSTG  
°C / W  
°C  
150, -55~150  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C unless otherwise specified)  
Parameter  
Symbol  
Min.  
Typ. Max.  
Unit  
Test Conditions  
IC=100µA, IE=0  
Collector to Base Breakdown Voltage  
Collector to Emitter Breakdown Voltage  
Emitter to Base Breakdown Voltage  
Collector Cut-Off Current  
V(BR)CBO  
V(BR)CEO  
V(BR)EBO  
ICBO  
40  
25  
5
-
-
-
-
-
-
V
V
IC=1mA, IB=0  
-
V
IE=100µA, IC=0  
VCB=40V, IE=0  
-
0.1  
0.1  
0.1  
400  
0.6  
1.2  
0.7  
-
µA  
µA  
µA  
Collector Cut-Off Current  
ICEO  
VCE=20V, IB=0  
Emitter Cut-Off Current  
IEBO  
-
120  
-
-
-
-
VEB=5V, IC=0  
DC Current Gain  
hFE  
VCE=1V, IC=50mA  
IC=500mA, IB=50mA  
IC=500mA, IB=50mA  
IC=10mA, VCE=1V  
Collector to Emitter Saturation Voltage  
Base to Emitter Saturation Voltage  
Base to Emitter Voltage  
VCE(sat)  
VBE(sat)  
VBE  
V
V
V
-
150  
-
-
-
-
Transition Frequency  
fT  
MHz VCE=6V, IC=20mA, f=30MHz  
pF CB=6V, I =0, f=1MHz  
Collector output capacitance  
C
ob  
8
V
E
http://www.SeCoSGmbH.com/  
Any changes of specification will not be informed individually.  
15-Jul-2011 Rev. A  
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