S9013E

更新时间： 2024-11-19 13:01:19

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美微科 - MCC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	196K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, PLASTIC PACKAGE-3

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S9013E 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-92
包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.67	最大集电极电流 (IC)：	0.5 A
集电极-发射极最大电压：	25 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	78	JEDEC-95代码：	TO-92
JESD-30 代码：	O-PBCY-T3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	150 MHz	Base Number Matches：	1

S9013E 数据手册

M C C

S9013-G

S9013-H

S9013-I

ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents

20736 Marilla Street Chatsworth

ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ

ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ

$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ

Micro Commercial Components

Features

•

TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors

Capable of 0.625Watts(Tamb=25^OC) of Power Dissipation.

Collector-current 0.5A

NPN Silicon

Transistors

Collector-base Voltage 40V

Operating and storage junction temperature range: -55^OC to +150^OC

Marking Code: S9013

Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix designates

RoHS Compliant. See ordering information)

Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating

Moisure Sensitivity Level 1

TO-92

Electrical Characteristics @ 25^OC Unless^EOtherwise Specified

Symbol

Parameter

Min

Max

Units

OFF CHARACTERISTICS

V_(BR)CBO

V_(BR)CEO

V_(BR)EBO

I_CBO

Collector-Base Breakdown Voltage

5.0

---

Vdc

(I =100uAdc, I_E=0)

Collector-Emitter Breakdown Voltage

(I =0.1mAdc, I_B=0)

Emitter-Base Breakdown Voltage

---

Vdc

(I =100uAdc, I_C=0)

Collector Cutoff Current

0.1

uAdc

(V_CB=40Vdc, I =0)

I_CEO

Collector Cutoff Current

(V_CE=20Vdc, I =0)

I_EBO

Emitter Cutoff Current

(V_EB=5.0Vdc, I =0)

ON CHARACTERISTICS

h_FE(1)

DC Current Gain

---

400

---

(I =50mAdc, V_CE=1.0Vdc)

h_FE(2)

DC Current Gain

(I =500mAdc, V_CE=1.0Vdc)

V_CE(sat)

V_BE(sat)

Collector-Emitter Saturation Voltage

0.6

1.2

Vdc

(I =500mAdc, I_B=50mAdc)

Base-Emitter Saturation Voltage

(I =500mAdc, I_B=50mAdc)

DIMENSIONS

V_EB

Base- Emitter Voltage

(I =100mAdc)

---

1.4

Vdc

INCHES

DIM

MIN

.170

.550

.010

.130

.096

MAX

MIN

4.33

4.30

13.97

0.36

3.30

2.44

MAX

4.83

14.97

0.56

3.96

2.64

NOTE

.190

.590

.020

.160

.104

SMALL-SIGNAL CHARACTERISTICS

f_T

Transistor Frequency

(I =20mAdc, V_CE=6.0Vdc, f=30MHz)

150

---

MHz

CLASSIFICATION OF HFE (1)

Rank

Range

112-166

144-202

190-300

www.mccsemi.com

1 of 2

Revision: A

2011/01/01

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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