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S9013-TO-92

更新时间： 2024-09-24 01:25:23

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描述
TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors

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S9013-TO-92 数据手册

S9013

TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors

TRANSISTOR( NP N )

Features

TO- 9 2

●

Complementary to S9012

Excellent h^FElinearity

●

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Parameter

Collector-Base Voltage

Value

Unit

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current

500

℃/W

℃

E B C

Collector Power Dissipation

Thermal Resistance From Junction To Ambient

Junction Temperature

625

P_C

R_ΘJA

T_j

416

150

Storage Temperature

T_stg

-55～+150

℃

Electrical Characteristics (T=25℃ Unless otherwise specified）

Parameter

Symbol

Test conditions

I_C= 100μA , I_E=0

I_C= 1mA , I_B=0

Min

Typ

Max

Unit

Collector-base breakdown voltage

Collector-emitter breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector cut-off current

V(BR)

CBO

V(BR)

CEO

V(BR)

EBO

I_E= 100μA , I_C=0

V_CB= 40V , I_E=0

V_CE=20V , I_E=0

μA

I_CBO

I_CEO

0.1

400

μA

Collector cut-off current

Emitter cut-off current

I_EBO

V_EB= 5V, I_C=0

h_FE(1)

h_FE(2)

V_CE(sat)

V_BE(sat)

V_CE=1V, I_C=50mA

V_CE=1V, I_C= 500mA

I_C= 500mA, I_B= 50mA

DC current gain

Collector-emitter saturation voltage

Base-emitter voltage

0.6

1.2

Transition frequency

V_CE=6V,I_C=20mA,f=30MHz

150

MHz

f_T

CLASSIFICATION OF h_FE

Rank

Range

64-91

78-112

96-135

112-166

144-202

190-300

300-400

igh Diode Semiconductor

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