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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> S9013-G
S9013-G PDF预览

S9013-G

更新时间： 2024-02-27 17:54:39
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 196K
描述
NPN Silicon Transistors

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S9013-G 技术参数

生命周期：Contact Manufacturer包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.62
最大集电极电流 (IC)：0.5 A集电极-发射极最大电压：25 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：120
JESD-30 代码：R-PDSO-G3元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：NPN表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：150 MHz
Base Number Matches：1

S9013-G 数据手册

 浏览型号S9013-G的Datasheet PDF文件第2页 
M C C  
S9013-G  
S9013-H  
S9013-I  
TM  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
20736 Marilla Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ  
$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
Micro Commercial Components  
Features  
•
•
•
•
•
•
·
TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors  
Capable of 0.625Watts(Tamb=25OC) of Power Dissipation.  
Collector-current 0.5A  
NPN Silicon  
Transistors  
Collector-base Voltage 40V  
Operating and storage junction temperature range: -55OC to +150OC  
Marking Code: S9013  
Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix designates  
RoHS Compliant. See ordering information)  
Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating  
Moisure Sensitivity Level 1  
TO-92  
·
·
A
E
C
B
Electrical Characteristics @ 25OC UnlessEOtherwise Specified  
B
Symbol  
Parameter  
Min  
Max  
Units  
OFF CHARACTERISTICS  
V(BR)CBO  
V(BR)CEO  
V(BR)EBO  
ICBO  
Collector-Base Breakdown Voltage  
40  
25  
5.0  
---  
---  
---  
---  
---  
Vdc  
Vdc  
(I =100uAdc, IE=0)  
C
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
(I =0.1mAdc, IB=0)  
C
Emitter-Base Breakdown Voltage  
---  
Vdc  
C
(I =100uAdc, IC=0)  
E
Collector Cutoff Current  
0.1  
0.1  
0.1  
uAdc  
uAdc  
uAdc  
(VCB=40Vdc, I =0)  
E
ICEO  
Collector Cutoff Current  
(VCE=20Vdc, I =0)  
B
IEBO  
Emitter Cutoff Current  
(VEB=5.0Vdc, I =0)  
C
D
ON CHARACTERISTICS  
hFE(1)  
DC Current Gain  
64  
40  
---  
---  
400  
---  
---  
---  
(I =50mAdc, VCE=1.0Vdc)  
C
hFE(2)  
DC Current Gain  
(I =500mAdc, VCE=1.0Vdc)  
C
VCE(sat)  
VBE(sat)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
0.6  
1.2  
Vdc  
Vdc  
(I =500mAdc, IB=50mAdc)  
C
G
Base-Emitter Saturation Voltage  
(I =500mAdc, IB=50mAdc)  
C
DIMENSIONS  
VEB  
Base- Emitter Voltage  
(I =100mAdc)  
E
---  
1.4  
Vdc  
INCHES  
MM  
DIM  
A
B
C
D
MIN  
.170  
.170  
.550  
.010  
.130  
.096  
MAX  
MIN  
4.33  
4.30  
13.97  
0.36  
3.30  
2.44  
MAX  
4.83  
4.83  
14.97  
0.56  
3.96  
2.64  
NOTE  
.190  
.190  
.590  
.020  
.160  
.104  
SMALL-SIGNAL CHARACTERISTICS  
fT  
Transistor Frequency  
(I =20mAdc, VCE=6.0Vdc, f=30MHz)  
C
150  
---  
MHz  
E
G
CLASSIFICATION OF HFE (1)  
Rank  
G
H
I
Range  
112-166  
144-202  
190-300  
www.mccsemi.com  
1 of 2  
Revision: A  
2011/01/01  
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
S9013G(TO-92) CJ

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 		Transistor
S9013G-A MCC

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 		Transistor
S9013G-AP MCC

获取价格

 		500mA, 25V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3
S9013-G-BP MCC

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92,
S9013G-BP MCC

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 		500mA, 25V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3
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