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S9012I-G

更新时间： 2024-01-30 04:22:02

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Transistor

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S9012I-G 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Contact Manufacturer
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.61	最大集电极电流 (IC)：	0.5 A
配置：	Single	最小直流电流增益 (hFE)：	190
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	0.625 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	标称过渡频率 (fT)：	150 MHz
Base Number Matches：	1

S9012I-G 数据手册

S9012

PNP General Purpose Transistors

* “G” Lead(Pb)-Free

TO-92

1. EMITTER

2. BASE

3. COLLECTOR

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

(Ta=25 C)

Rating

Collector-Emitter Voltage

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current

Symbol

Unit

Vdc

mAdc

Value

-25

-40

-5

-500

CEO

CBO

EBO

0.625

150

Total Device Dissipation T =25 C

Junction Temperature

Storage, Temperature

-55 to +150

Tstg

ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Characteristics

Symbol

Min

Max

Unit

Collector-Emitter Breakdown Voltage (I = -1.0 mAdc, I =0)

-25

Vdc

(BR)CEO

-40

-5

Collector-Base Breakdown Voltage (I = -100 uAdc, I =0)

(BR)CBO

Vdc

Emitter-Base Breakdown Voltage (I = -100 uAdc, I =0)

(BR)EBO

uAdc

CE0

-0.1

Collector Cutoff Current (V = -20 Vdc, I =0)

uAdc

Collector Cutoff Current (V = -40 Vdc, I =0)

CBO

EBO

Emitter Cutoff Current (V = -5.0V c, I =0)

WEITRON

http://www.weitron.com.tw

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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S9012LT1L	MCC	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, PLASTIC	获取价格