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S9012I

更新时间： 2024-01-03 02:18:48

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江苏长电/长晶 - CJ		/
页数	文件大小	规格书
2页	168K
描述
Transistor

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S9012I 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-92	包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.19	最大集电极电流 (IC)：	0.5 A
集电极-发射极最大电压：	25 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	190	JEDEC-95代码：	TO-92
JESD-30 代码：	O-PBCY-T3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	150 MHz	Base Number Matches：	1

S9012I 数据手册

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO.,LTD

TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors

TO-92

S9012

TRANSISTOR (PNP)

FEATURES

1. EMITTER

Complementary to S9013

Excellent h_FElinearity

2. BASE

3. COLLECTOR

MAXIMUM RATINGS (T_A=25℃ unless otherwise noted)

1 2 3

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Parameter

Value

-40

Units

Collector-Base Voltage

-25

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

-5

Collector Current -Continuous

Collector Power Dissipation

Junction Temperature

-500

625

℃

P_C

T_J

150

T_stg

Storage Temperature

-55-150

℃

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb=25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

V_(BR)CBO

V_(BR)CEO

V_(BR)EBO

I_CBO

Test conditions

I_C= -100μA, I_E=0

I_C= -1mA,I_B=0

MIN

-40

-25

-5

TYP

MAX

UNIT

Collector-base breakdown voltage

Collector-emitter breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector cut-off current

I_E=-100μA, I_C=0

V_CB=-40V, I_E=0

-0.1

400

μA

Collector cut-off current

I_CEO

V_CE=-20V, I_B=0

Emitter cut-off current

I_EBO

V_EB= -5V, I_C=0

h_FE(1)

V_CE=-4V,I_C=-1mA

V_CE=-1V, I_C= -500mA

I_C=-500mA, I_B= -50mA

DC current gain

h_FE(2)

Collector-emitter saturation voltage

Base-emitter saturation voltage

V_CE(sat)

V_BE(sat)

-0.6

-1.2

V_CE=-6V, I_C= -20mA

f=30MHz

Transition frequency

f_T

150

MHz

CLASSIFICATION OF h_FE(1)

Rank

Range

64-91

78-112

96-135

112-166

144-202

190-300

300-400

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与S9012I相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
S9012-I	MCC	PNP Silicon Transistors	获取价格
S9012-I-AP	MCC	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92,	获取价格
S9012-I-AP-HF	MCC	暂无描述	获取价格
S9012-I-B	MCC	Transistor	获取价格
S9012-I-BP	MCC	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92,	获取价格
S9012I-BP	MCC	暂无描述	获取价格