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Datasheet > 触发装置 > 可控硅整流器> S8X8ES1
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S8X8ES1

更新时间： 2024-11-05 03:12:51
品牌 Logo 应用领域
力特 - LITTELFUSE 栅极触发装置可控硅整流器
页数 文件大小 规格书
9页 236K
描述
EV Series 0.8A Sensitive SCR

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S8X8ES1 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
零件包装代码：TO-92包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
HTS代码：8541.30.00.80风险等级：5.59
Is Samacsys：N其他特性：HIGH RELIABILITY
配置：SINGLE关态电压最小值的临界上升速率：75 V/us
最大直流栅极触发电流：0.005 mA最大直流栅极触发电压：0.8 V
最大维持电流：5 mAJEDEC-95代码：TO-92
JESD-30 代码：O-PBCY-T3JESD-609代码：e3
最大漏电流：0.5 mA通态非重复峰值电流：10 A
元件数量：1端子数量：3
最大通态电流：800 A最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-40 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：260认证状态：Not Qualified
最大均方根通态电流：0.8 A断态重复峰值电压：800 V
重复峰值反向电压：800 V子类别：Silicon Controlled Rectifiers
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：40触发设备类型：SCR
Base Number Matches：1

S8X8ES1 数据手册

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Teccor® brandThyristors  
Silicon Controlled Rectifiers  
SxX8xSx EV Series 0.8A Sensitive SCR  
Description  
New device series offers high static dv/dt and lower turn  
off (tq) sensitive SCR with its small die planar construction  
EFTJHOꢀꢁ*UꢁJTꢁTQFDJmDBMMZꢁEFTJHOFEꢁGPSꢁ('$*ꢁꢂ(SPVOEꢁ'BVMUꢁ  
$JSDVJUꢁ*OUFSSVQUFSꢃꢁBOEꢁ(BTꢁ*HOJUJPOꢁBQQMJDBUJPOTꢀꢁ"MMꢁ  
SCRs junctions are glass-passivated to ensure long term  
reliability and parametric stability.  
Features  
tꢁꢁ3P)4ꢁDPNQMJBOU  
tꢁ)JHIꢁEWꢆEUꢁOPJTFꢁJNNVOJUZ  
tꢁꢁ5ISVꢅIPMFꢁBOEꢁTVSGBDFꢁ  
tꢁ  
*NQSPWFEꢁUVSOꢅPGGꢁUJNFꢁꢂUq)  
mount packages  
< 25 ꢀsec  
tꢁ  
tꢁ  
4VSHFꢁDVSSFOUꢁꢁ  
capability > 10Amps  
tꢁ  
4FOTJUJWFꢁHBUFꢁGPSꢁEJSFDUꢁ  
microprocessor interface  
Main Features  
#MPDLJOHꢁWPMUBHFꢁ  
Symbol  
IT(RMS)  
Value  
0.8  
Unit  
A
( VDRM / VRRM  
)
capability - up to 800V  
VDRM / VRRM  
I(5  
400 to 800  
5 to 200  
V
Schematic Symbol  
ꢀA  
A
Applications  
5IFꢁ4Y9ꢄY4xꢁTFSJFTꢁJTꢁTQFDJmDBMMZꢁEFTJHOFEꢁGPSꢁ('$*ꢁ  
ꢂ(SPVOEꢁ'BVMUꢁ$JSDVJUꢁ*OUFSSVQUFSꢃꢁBOEꢁHBTꢁJHOJUJPOꢁ  
applications.  
G
K
Absolute Maximum Ratings  
Symbol  
Parameter  
Value  
Unit  
TO-92  
SOT-89  
SOT-223  
TO-92  
TC = 55°C  
TC = 60°C  
TL = 60°C  
TC = 55°C  
TC = 60°C  
TL = 60°C  
F= 50Hz  
0.8  
0.8  
A
A
IT(RMS)  
RMS on-state current (full sine wave)  
Average on-state current  
0.8  
A
0.51  
0.51  
0.51  
8
A
IT(AV)  
SOT-89  
SOT-223  
A
A
TO-92  
SOT-89  
SOT-223  
A
Non repetitive surge peak on-state current  
ITSM  
I2t  
(Single cycle, T initial = 25°C)  
J
F= 60Hz  
10  
A
tp = 10 ms  
tp = 8.3 ms  
F = 50 Hz  
F = 60 Hz  
0.32  
0.41  
A2s  
A2s  
I2t Value for fusing  
TO-92  
SOT-89  
SOT-223  
di/dt  
Critical rate of rise of on-state current I( = 10mA  
T = 125°C  
50  
A/μs  
J
I(.  
1FBLꢁ(BUFꢁ$VSSFOU  
tp = 10 ꢀs  
T = 125°C  
1.0  
A
J
P(ꢂ"7ꢃ  
Tstg  
Average gate power dissipation  
Storage junction temperature range  
Operating junction temperature range  
—
—
—
T = 125°C  
0.1  
W
J
—
—
-40 to 150  
-40 to 125  
°C  
T
J
www.littelfuse.com  
©2008 Littelfuse  
145  
Power Thyristor Databook  
SxX8xSx EV Series 0.8A Sensitive SCR  
1234567...9

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与S8X8ES1相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
S8X8ES1AP LITTELFUSE

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 		Silicon Controlled Rectifier, 0.8A I(T)RMS, 800mA I(T), 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 Elemen
S8X8ES1RP LITTELFUSE

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 		Silicon Controlled Rectifier, 0.8A I(T)RMS, 800mA I(T), 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 Elemen
S8X8ES2 LITTELFUSE

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 		EV Series 0.8A Sensitive SCR
S8X8ES2AP LITTELFUSE

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 		暂无描述
S8X8ES2RP LITTELFUSE

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 		Silicon Controlled Rectifier, 0.8A I(T)RMS, 800mA I(T), 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 Elemen
S8X8ESAP LITTELFUSE

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 		Silicon Controlled Rectifier, 0.8A I(T)RMS, 800mA I(T), 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 Elemen
S8X8TS LITTELFUSE

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 		EV Series 0.8A Sensitive SCR
S8X8TS1 LITTELFUSE

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 		EV Series 0.8A Sensitive SCR
S8X8TS1RP LITTELFUSE

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 		Silicon Controlled Rectifier, 0.8A I(T)RMS, 800mA I(T), 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 Elemen
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