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S8865-64G

更新时间： 2024-11-04 12:20:03
品牌 Logo 应用领域
HAMAMATSU 光电二极管光电二极管
页数 文件大小 规格书
15页 480K
描述
Photodiode array combined with signal processing IC for X-ray detection

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S8865-64G 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：SFM,Reach Compliance Code：unknown
HTS代码：8542.39.00.01风险等级：5.6
模拟集成电路 - 其他类型：ANALOG CIRCUITJESD-30 代码：R-XSFM-P12
信道数量：1功能数量：1
端子数量：12最高工作温度：60 °C
最低工作温度：-5 °C封装主体材料：UNSPECIFIED
封装代码：SFM封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
最大供电电压 (Vsup)：5.25 V最小供电电压 (Vsup)：4.75 V
标称供电电压 (Vsup)：5 V表面贴装：NO
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子形式：PIN/PEG端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

S8865-64G 数据手册

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Photodiode arrays with ampli¿er  
S8865-64G/-128G/-256G  
S8866-64G-02/-128G-02  
Photodiode array combined with signal  
processing IC for X-ray detection  
The S8866-64G-02/-128G-02 are photodiode arrays with an ampli¿er and a phosphor sheet attached to the active area for X-ray  
detection. The signal processing circuit chip is formed by CMOS process and incorporates a timing generator, shift register, charge  
ampli¿er array, clamp circuit and hold circuit, making the external circuit con¿guration simple. A long, narrow image sensor can  
be con¿gured by arranging multiple arrays in a row.  
As the dedicated driver circuit, the C9118 series (sold separately) is provided. (Not compatible with the S8865-256G.)  
Features  
Applications  
Large element pitch: 5 types available  
S8865-64G: 0.8 mm pitch × 64 ch  
S8865-128G: 0.4 mm pitch × 128 ch  
S8865-256G: 0.2 mm pitch × 256 ch  
S8866-64G-02: 1.6 mm pitch × 64 ch  
S8866-128G-02: 0.8 mm pitch × 128 ch  
Line sensors for X-ray detection  
5 V power supply operation  
Simultaneous integration by using a charge ampli¿er array  
Sequential readout with a shift register  
(Data rate: 500 kHz max.)  
Low dark current due to zero-bias photodiode operation  
Integrated clamp circuit allows low noise and wide dynamic range  
Integrated timing generator allows operation at two  
different pulse timings  
Detectable energy range: 30 k to 100 keV  
Speci¿cations  
Parameter  
Element pitch  
Element diffusion width  
Element height  
Number of elements  
Active area length  
Line rate  
Symbol*1  
S8865-64G  
0.8  
S8865-128G  
0.4  
S8865-256G  
0.2  
S8866-64G-02 S8866-128G-02  
Unit  
mm  
mm  
mm  
-
P
W
H
-
-
-
1.6  
1.5  
0.8  
0.7  
0.7  
0.8  
64  
51.2  
7339  
0.3  
0.6  
128  
51.2  
0.1  
0.3  
256  
51.2  
1.6  
0.8  
64  
128  
102.4  
6838  
102.4  
3784  
mm  
lines/s  
3784  
1922  
*1: Refer to following ¿gure.  
Enlarged view of active area  
Photodiode  
W
P
KMPDC0072EA  
1
www.hamamatsu.com  
1234567...15

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与S8865-64G相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
S8865-64G_15 HAMAMATSU

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 		Photodiode array combined with signal processing IC for X-ray detection
S8866-128 HAMAMATSU

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 		Analog Circuit
S8866-128-02 HAMAMATSU

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 		Analog Circuit,
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S886T VISHAY

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 		MOSMIC for TV-Tuner Prestage with 12 V Supply Voltage
S886T-GS18 VISHAY

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 		RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-
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