S8865-64

更新时间： 2024-11-04 03:33:59

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HAMAMATSU		模拟IC 光电二极管光电二极管信号电路局域网
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描述
Photodiode array combined with signal processing circuit chip

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S8865-64 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SFM,	Reach Compliance Code：	unknown
HTS代码：	8542.39.00.01	风险等级：	5.6
Is Samacsys：	N	模拟集成电路 - 其他类型：	ANALOG CIRCUIT
JESD-30 代码：	R-XSFM-P12	信道数量：	1
功能数量：	1	端子数量：	12
最高工作温度：	60 °C	最低工作温度：	-5 °C
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装代码：	SFM
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	最大供电电压 (Vsup)：	5.25 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.75 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子形式：	PIN/PEG
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

S8865-64 数据手册

P H O T O D I O D E

Photodiode array with amplifier

S8865 series

Photodiode array combined with signal processing circuit chip

S8865 series is a Si photodiode array combined with a signal processing circuit chip. The signal processing circuit chip is formed by CMOS

process and incorporates a timing generator, shift register, charge amplifier array, clamp circuit and hold circuit, making the external circuit

configuration simple. A long, narrow image sensor can also be configured by arranging multiple arrays in a row. For X-ray detection applications,

types with fluorescent paper affixed on the active area are also available.

Features

Applications

Long line sensors

Line sensors for X-ray detection

Large element pitch: 2 types available

S8865-64: 0.8 mm pitch × 64 ch

S8865-128: 0.4 mm pitch × 128 ch

5 V power supply operation

Simultaneous integration by using a charge amplifier

array

Sequential readout with a shift register

(Data rate: 1 MHz Max.)

Low dark current due to zero-bias photodiode

operation

Integrated clamp circuit allows low noise and wide

dynamic range

Integrated timing generator allows operation at two

different pulse timings

Types with phosphor screen affixed on the active area are

available for X-ray detection: S8865-64G/S8865-128G

ꢀ Mechanical specifications

Parameter

Element pitch

Symbol *¹

S8865-64

S8865-128

Unit

0.8

0.7

0.8

0.4

0.3

Element diffusion width

Element height

0.6

Number of elements

Active area length

128

51.2

*1: Refer to following figure.

ꢀ Enlarged view of active area

PHOTODIODE DIFFUSION AREA

KMPDC0072EA

12 3 4 5 6

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
S8865-64G	HAMAMATSU	获取价格	Photodiode array combined with signal processing IC for X-ray detection
S8865-64G_15	HAMAMATSU	获取价格	Photodiode array combined with signal processing IC for X-ray detection
S8866-128	HAMAMATSU	获取价格	Analog Circuit
S8866-128-02	HAMAMATSU	获取价格	Analog Circuit,
S8866-128G-02	HAMAMATSU	获取价格	Photodiode array combined with signal processing IC for X-ray detection
S8866-64	HAMAMATSU	获取价格	Analog Circuit
S8866-64_11	HAMAMATSU	获取价格	Photodiode array combined with signal processing IC
S8866-64G-02	HAMAMATSU	获取价格	Photodiode array combined with signal processing IC for X-ray detection
S886T	VISHAY	获取价格	MOSMIC for TV-Tuner Prestage with 12 V Supply Voltage
S886T-GS18	VISHAY	获取价格	RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-

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