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S8558

更新时间： 2024-11-20 03:33:59
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HAMAMATSU 光电二极管光电二极管
页数 文件大小 规格书
2页 111K
描述
Surface mountable 16-element photodiode array

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S8558 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Active
包装说明：CERAMIC PACKAGE-18Reach Compliance Code：unknown
HTS代码：8541.40.60.50风险等级：5.6
Is Samacsys：N其他特性：HIGH SENSITIVITY
配置：COMMON CATHODE, 16 ELEMENTS最大暗电源：1 nA
红外线范围：YES标称光电流：0.001 mA
功能数量：16最高工作温度：100 °C
最低工作温度：-40 °C光电设备类型：PIN PHOTODIODE
峰值波长：960 nm最小反向击穿电压：30 V
形状：RECTANGULAR尺寸：2 mm
Base Number Matches：1

S8558 数据手册

 浏览型号S8558的Datasheet PDF文件第2页 
P H O T O D I O D E  
Si PIN photodiode array  
S8558  
Surface mountable 16-element photodiode array  
S8558 is a 16-element Si PIN photodiode array in a ceramic chip carrier package suitable for surface mount using solder reflow techniques.  
S8558 can be used in a wide range of applications including spectrophotometer and position detection.  
Features  
Applications  
Active area: 0.7 × 2.0 mm (× 16 elements)  
Ceramic chip carrier package for surface mount  
Suitable for solder reflow  
Spectrophotometers  
Position detection  
High sensitivity  
ꢀ Absolute maximum ratings (Ta=25 °C)  
Parameter  
Reverse voltage  
Symbol  
VR  
Value  
Max.30  
Unit  
V
Operating temperature  
Storage temperature  
Topr  
Tstg  
-40 to +100  
-40 to +125  
°C  
°C  
ꢀ Electrical and optical characteristics (Ta=25 °C, per 1 element)  
Parameter  
Spectral response range  
Peak sensitivity wavelength  
Symbol  
Condition  
Min.  
Typ.  
320 to 1100  
Max.  
-
-
45  
57  
62  
72  
-
Unit  
nm  
nm  
-
-
-
-
-
-
-
-
-
λ
λp  
960  
0.  
0.  
0.  
0.  
1.0  
0.05  
1.15  
-
-
-
-
A/W  
A/W  
A/W  
A/W  
λ=660 nm  
λ=780 nm  
λ=830 nm  
λ=λp  
100 lx  
VR=10 V  
Photo sensitivity  
S
Short circuit current  
Dark current  
Temperature coefficient of ID  
Isc  
ID  
TCID  
µA  
nA  
times/°C  
1.0  
-
VR=10 V, RL=50 Ω  
λ=830 nm, -3 dB  
VR=10 V, f=1 MHz  
V =10 V, λ=λp  
Cut-off frequency  
fc  
-
25  
-
MHz  
Terminal capacitance  
Noise equivalent power  
Ct  
NEP  
-
-
5
10  
-
pF  
R
5.6 × 10-15  
W/Hz1/2  
1
12

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