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Datasheet > 晶体管 > 其他晶体管> S8050-C-A
S8050-C-A PDF预览

S8050-C-A

更新时间： 2024-11-25 13:13:07
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC 晶体小信号双极晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 215K
描述
Transistor

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S8050-C-A 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：,Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.91JESD-609代码：e0
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)Base Number Matches：1

S8050-C-A 数据手册

 浏览型号S8050-C-A的Datasheet PDF文件第2页 
M C C  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
20736 Marilla Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ  
$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
TM  
S8050-B  
S8050-C  
S8050-D  
Micro Commercial Components  
Features  
•
•
•
•
•
•
•
TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors  
Capable of 0.625Watts(Tamb=25OC) of Power Dissipation.  
Collector-current 0.5A  
NPN Silicon  
Transistors  
Collector-base Voltage 40V  
Operating and storage junction temperature range: -55OC to +150OC  
Marking : S8050  
Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix designates  
RoHS Compliant. See ordering information)  
Case Material: Molded Plastic. UL Flammability  
Classification Rating 94V-0 and MSL Rating 1  
TO-92  
•
A
E
C
B
E
Electrical Characteristics @ 25OC Unless Otherwise Specified  
B
Symbol  
Parameter  
Min  
Max  
Units  
OFF CHARACTERISTICS  
V(BR)CBO  
V(BR)CEO  
V(BR)EBO  
Collector-Base Breakdown Voltage  
40  
25  
5.0  
---  
---  
---  
---  
---  
Vdc  
Vdc  
(I =100uAdc, IE=0)  
C
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
(I =0.1mAdc, IB=0)  
C
Emitter-Base Breakdown Voltage  
---  
Vdc  
C
(I =100uAdc, IC=0)  
E
I
Collector Cutoff Current  
0.1  
0.1  
0.1  
uAdc  
uAdc  
uAdc  
CBO  
(VCB=40Vdc, I =0)  
E
I
Collector Cutoff Current  
CEO  
(VCE=20Vdc, I =0)  
B
IEBO  
Emitter Cutoff Current  
(VEB=3.0Vdc, I =0)  
C
D
ON CHARACTERISTICS  
hFE(1)  
DC Current Gain  
85  
50  
---  
---  
---  
300  
---  
---  
---  
(I =50mAdc, VCE=1.0Vdc)  
C
hFE(2)  
DCCurrent Gain  
(I =500mAdc, VCE=1.0Vdc)  
C
VCE(sat)  
VBE(sat)  
VEB  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
0.6  
1.2  
1.4  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
(I =500mAdc, IB=50mAdc)  
C
G
Base-Emitter Saturation Voltage  
(I =500mAdc, IB=50mAdc)  
C
DIMENSIONS  
Base- Emitter Voltage  
(IE=100mAdc)  
INCHES  
MIN  
.170  
.170  
.550  
.010  
.130  
.096  
MM  
MIN  
DIM  
A
B
C
D
MAX  
MAX  
4.83  
4.83  
14.97  
0.56  
3.96  
2.64  
NOTE  
SMALL-SIGNAL CHARACTERISTICS  
.190  
.190  
.590  
.020  
.160  
.104  
4.33  
4.30  
13.97  
0.36  
3.30  
2.44  
fT  
Transistor Frequency  
150  
---  
MHz  
(I =20mAdc, VCE=6.0Vdc, f=30MHz)  
C
E
G
CLASSIFICATION OF HFE (1)  
Rank  
Range  
B
C
D
85-150  
120-200  
160-300  
www.mccsemi.com  
1 of 2  
Revision: A  
2011/01/01  
12

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与S8050-C-A相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
S8050-C-B MCC

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 		Transistor
S8050C-G WEITRON

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 		Transistor
S8050D CJ

获取价格

 		TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors
S8050-D MCC

获取价格

 		NPN Silicon Transistors
S8050-D-AP MCC

获取价格

 		暂无描述
S8050-D-B MCC

获取价格

 		Transistor
S8050D-G WEITRON

获取价格

 		Transistor
S8050DP MCC

获取价格

 		TRANSISTOR 500 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, PLASTIC PACKAGE-3, BIP G
S8050-E-T92-B UTC

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.7A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92,
S8050-E-T92-K UTC

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.7A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92,

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