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S8050-B-AP-HF

更新时间： 2024-11-21 21:03:31
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC /
页数 文件大小 规格书
2页 259K
描述
Small Signal Bipolar Transistor,

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S8050-B-AP-HF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：,Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.62
湿度敏感等级：1峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

S8050-B-AP-HF 数据手册

 浏览型号S8050-B-AP-HF的Datasheet PDF文件第2页 
M C C  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
20736 Marilla Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ  
$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
TM  
S8050-B  
S8050-C  
S8050-D  
Micro Commercial Components  
Features  
•
•
•
•
•
•
•
TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors  
Capable of 0.625Watts(Tamb=25OC) of Power Dissipation.  
Collector-current 0.5A  
NPN Silicon  
Transistors  
Collector-base Voltage 40V  
Operating and storage junction temperature range: -55OC to +150OC  
Marking : S8050  
Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix designates  
RoHS Compliant. See ordering information)  
Case Material: Molded Plastic. UL Flammability  
Classification Rating 94V-0 and MSL Rating 1  
Halogen free available upon request by adding suffix "-HF"  
TO-92  
•
A
E
·
Electrical Characteristics @ 25OC Unless Otherwise Specified  
B
Symbol  
Parameter  
Min  
Max  
Units  
OFF CHARACTERISTICS  
V(BR)CBO  
V(BR)CEO  
V(BR)EBO  
Collector-Base Breakdown Voltage  
40  
25  
5.0  
---  
---  
---  
---  
---  
Vdc  
Vdc  
(I =100uAdc, IE=0)  
C
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
(I =0.1mAdc, IB=0)  
C
Emitter-Base Breakdown Voltage  
---  
Vdc  
C
(I =100uAdc, IC=0)  
E
I
Collector Cutoff Current  
0.1  
0.1  
0.1  
uAdc  
uAdc  
uAdc  
CBO  
(VCB=40Vdc, I =0)  
E
I
Collector Cutoff Current  
CEO  
(VCE=20Vdc, I =0)  
B
IEBO  
Emitter Cutoff Current  
(VEB=3.0Vdc, I =0)  
C
D
ON CHARACTERISTICS  
hFE(1)  
DC Current Gain  
85  
50  
---  
---  
---  
300  
---  
---  
---  
(I =50mAdc, VCE=1.0Vdc)  
C
hFE(2)  
DCCurrent Gain  
E
(I =500mAdc, VCE=1.0Vdc)  
C
E
B
B
C
C
VCE(sat)  
VBE(sat)  
VEB  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
0.6  
1.2  
1.4  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
STRAIGHT LEAD BENT LEAD  
BULK PACK AMMO PACK  
(I =500mAdc, IB=50mAdc)  
C
G
Base-Emitter Saturation Voltage  
(I =500mAdc, IB=50mAdc)  
C
DIMENSIONS  
Base- Emitter Voltage  
(IE=100mAdc)  
INCHES  
MM  
DIM  
A
B
C
D
MIN  
MAX  
.185  
.185  
---  
.020  
.145  
.105  
.220  
MIN  
4.45  
4.45  
12.70  
0.41  
3.43  
2.42  
4.40  
MAX  
4.70  
4.70  
---  
0.63  
3.68  
2.67  
5.60  
NOTE  
SMALL-SIGNAL CHARACTERISTICS  
.175  
.175  
.500  
.016  
.135  
.095  
.173  
fT  
Transistor Frequency  
150  
---  
MHz  
(I =20mAdc, VCE=6.0Vdc, f=30MHz)  
C
E
CLASSIFICATION OF HFE (1)  
Straight Lead  
Bent Lead  
G
Rank  
B
C
D
* For ammo packing detailed specification, click here to visit our website  
of product packaging for details.  
85-150  
Range  
120-200  
160-300  
www.mccsemi.com  
1 of 2  
Revision: D  
2013/01/01  
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
S8050-B-B MCC

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 		Transistor
S8050-B-BP MCC

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92,
S8050B-BP MCC

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 		暂无描述
S8050-B-BP-HF MCC

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S8050-BP MCC

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