S8050

更新时间： 2024-11-05 04:06:39

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WEITRON		晶体小信号双极晶体管光电二极管
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NPN General Purpose Transistors

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S8050 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.75	风险等级：	5.38
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	0.5 A
集电极-发射极最大电压：	25 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	50	JEDEC-95代码：	TO-92
JESD-30 代码：	O-PBCY-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
极性/信道类型：	NPN	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	BOTTOM
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	150 MHz
Base Number Matches：	1

S8050 数据手册

S8050

NPN General Purpose Transistors

TO-92

1. EMITTER

2. BASE

3. COLLECTOR

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

(Ta=25 C)

Rating

Collector-Emitter Voltage

Collector-Base Voltage

Emitter-Base VOltage

Collector Current

Symbol

Unit

Vdc

mAdc

Value

5.0

500

CEO

CBO

EBO

0.625

150

Total Device Dissipation T =25 C

Junction Temperature

Storage, Temperature

Tstg

-55 to +150

ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Characteristics

Symbol

Min

Max

Unit

Collector-Emitter Breakdown Voltage (I = 0.1 mAdc, I =0)

Vdc

(BR)CEO

Vdc

Collector-Base Breakdown Voltage (I = 100 µAdc, I =0)

(BR)CBO

Vdc

5.0

Emitter-Base Breakdown Voltage (I = 100 µAdc, I =0)

(BR)EBO

uAdc

CE0

0.1

Collector Cutoff Current (V = 20 Vdc, I =0)

uAdc

Collector Cutoff Current (V = 40 Vdc, I =0)

CBO

EBO

Emitter Cutoff Current (V = 3.0V c, I =0)

WEITRON

http://www.weitron.com.tw

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